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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 8949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.42 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.87 EUR
56+2.59 EUR
100+1.94 EUR
500+1.57 EUR
800+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.27 EUR
77+1.9 EUR
79+1.8 EUR
100+1.52 EUR
250+1.48 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+3.5 EUR
100+2.45 EUR
500+2.06 EUR
800+1.9 EUR
2400+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.27 EUR
77+1.85 EUR
79+1.73 EUR
100+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.89 EUR
10+3.17 EUR
100+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF343Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF343International RectifierDescription: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.81 EUR
10+38.77 EUR
20+36.73 EUR
50+34.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350STMicroelectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350Infineon / IRMOSFETs 400V Single N-Channel Hi-Rel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350
Produktcode: 23682
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Uds,V: 400 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350-QRTT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350-QRSemelab (TT electronics)IRF350-QR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3500EZKACRFMD04+
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF350RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF351Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
139+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515L-103
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515SHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF353Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
62+7.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF353HARRISIRF353
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+7.13 EUR
100+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF353D2IR09+
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
71+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A/20A 42-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+6.21 EUR
100+5.82 EUR
500+5.39 EUR
1000+4.98 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon / IRMOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3575DTRPBF - IRF3575D 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3575DTRPBF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.12 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 303A 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.12 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60A Exposed Top Intg Pwr Block
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360IR/MOT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360
Produktcode: 26643
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360International RectifierТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360IRF460IR
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610SInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.65 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 94400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.65 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.29 EUR
10000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.1µC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.93 EUR
10+4.19 EUR
100+3.03 EUR
500+2.89 EUR
800+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3610STRLPBF
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+2.65 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.29 EUR
10000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.69 EUR
500+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.14 EUR
43+3.35 EUR
47+3.02 EUR
100+2.81 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF362International Rectifier HiRel ProductsIRF362
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+16.5 EUR
100+15.45 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF362Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF362International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+16.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
auf Bestellung 12707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
10+0.34 EUR
25+0.31 EUR
100+0.24 EUR
250+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 500MA 580 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 580mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 45MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 275mA 1.8Ohm DCR AXL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 275MA 1.8 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.8Ohm Max
Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 4.8MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 275 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 100MA 17.4 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 17.4Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 100 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 920MA 240 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 240mOhm Max
Q @ Freq: 45 @ 25.2MHz
Frequency - Self Resonant: 140MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 920 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 790MA 320 MOHM
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 121MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 790 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 9.9MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER270JVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
64+0.28 EUR
69+0.26 EUR
73+0.24 EUR
100+0.23 EUR
250+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER270JVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 146MA 5.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.8Ohm Max
Q @ Freq: 65 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 2.8MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 146 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 350 MOHM
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 110MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 750 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 370MA 1.03 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.03Ohm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 6.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER331KVishay DaleDescription: IRF-36 330 10% ER E3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER3R3JVishayRF inductors - Leaded 3.3 UH 5%
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER470KVishay / DaleRF inductors - Leaded 47uH 10%
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10+0.3 EUR
12+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 6.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
auf Bestellung 9845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
73+0.24 EUR
79+0.22 EUR
84+0.21 EUR
100+0.2 EUR
250+0.18 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
Current Rating (Amps): 126 mA
Inductance: 470 µH
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 2.25MHz
Q @ Freq: 60 @ 796kHz
DC Resistance (DCR): 7.7Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 620MA 390MOHM TH
Current Rating (Amps): 620 mA
Inductance: 4.7 µH
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 390mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF36ER4R7KVishayRF inductors - Leaded 4.7 UH 10%
Produkt ist nicht verfügbar
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