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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF341Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF341HARRISIRF341
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF341International Rectifier HiRel ProductsIRF341
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF341HARRISIRF341
auf Bestellung 2534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415
Produktcode: 23681
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
79+2.14 EUR
100+1.88 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 43 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2400 @ 25, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 22 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.84 EUR
45+5.27 EUR
100+3.77 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+2.51 EUR
100+2.05 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
50+2.46 EUR
100+2.21 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
111+1.54 EUR
113+1.48 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBF
Produktcode: 34305
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/200
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.94 EUR
100+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.92 EUR
65+2.63 EUR
89+1.87 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFIRF3415PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.46 EUR
61+2.76 EUR
79+2.02 EUR
100+1.75 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
89+1.88 EUR
109+1.46 EUR
111+1.38 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.95 EUR
64+2.59 EUR
89+1.81 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
45+1.93 EUR
57+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SIRT0-263
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 8799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STR
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.57 EUR
2400+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 51200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4 EUR
81+2.06 EUR
100+1.8 EUR
500+1.71 EUR
800+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
250+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
auf Bestellung 5072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.28 EUR
100+2 EUR
500+1.55 EUR
800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 51200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
50+2.32 EUR
100+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.81 EUR
108+1.58 EUR
114+1.46 EUR
250+1.42 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.96 EUR
82+2.08 EUR
100+1.86 EUR
500+1.8 EUR
800+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
61+3.81 EUR
71+3.05 EUR
100+2.57 EUR
250+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
96+1.74 EUR
108+1.49 EUR
114+1.36 EUR
250+1.29 EUR
500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3415STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3415STRR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3415STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF343International RectifierDescription: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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IRF343Infineon / IRMOSFET
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IRF350International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF350STMicroelectronicsMOSFETs
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IRF350IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF350Infineon / IRMOSFETs 400V Single N-Channel Hi-Rel
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IRF350NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.56 EUR
10+46.14 EUR
20+43.71 EUR
50+41.28 EUR
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IRF350
Produktcode: 23682
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Montage: THT
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1+1.63 EUR
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IRF350-QRSemelab (TT electronics)IRF350-QR
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF350-QRTT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
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IRF3500EZKACRFMD04+
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF350RHARRIS
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF351Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
139+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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IRF3515IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3515LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF3515L-103
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3515SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3515SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3515SHRInfineon / IRInfineon
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IRF3515STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3515STRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3515STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRF3515STRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF353Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
62+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF353HARRISIRF353
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+8.38 EUR
100+7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF353D2IR09+
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon / IRMOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
71+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A/20A 42-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+7.31 EUR
100+6.84 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3575DTRPBF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.68 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 303A 30-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.68 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60A Exposed Top Intg Pwr Block
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3575DTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3575DTRPBF - IRF3575D 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360International RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360IR/MOT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360
Produktcode: 26643
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360IRF460IR
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF360PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610SInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 94400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.12 EUR
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IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
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IRF3610STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3610STRLPBF
auf Bestellung 10400 Stücke:
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IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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