Produkte > BSP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4 Features: Auto Restart Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 35mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 42V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 3A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active | auf Bestellung 58123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP78HUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 42V, 24A, SOT-223-4 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.05ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 24A IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 MSL: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: Low-Side Eingangsspannung: 42V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge | auf Bestellung 9372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Auto Restart Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 35mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 42V (Max) Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 3A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage Part Status: Active | auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 4A Automotive AEC-Q100 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP78HUMA1 | Infineon Technologies | Power Switch ICs - Power Distribution SMART LW SIDE PWR 42V 3A | auf Bestellung 4636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88 | INF | 09+ | auf Bestellung 32518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP88 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP88 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP88E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 194558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 259952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP88E6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP88E6327 - BSP88 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0. tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 65394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 Produktcode: 184872
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1093 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | auf Bestellung 3914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 12624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 8667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1093 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP88H6327XTSA1 TBSP88h Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP88L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP88L6327 | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSP88L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89 (568-1769-1-ND) | Infineon Technologies | N-канальный полевой транзистор (Vds=240V, Id=360mA, Rds=6 R), smd.... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89 H6327 | Infineon | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP89 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89 L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP89,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.375A Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 240V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | Nexperia | MOSFETs BSP89/SOT223/SC-73 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSP89,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 340 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89.115 Produktcode: 99790
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89L6327 | INF | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP89L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP89TC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92 | Infineon Technologies | P-канальный полевой транзистор (Vds=240V, Id=200mA, Rds=20 R), smd.... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92P | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92P | INF | 09+ | auf Bestellung 5708 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92P (SOT-223) Produktcode: 46833
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP92P E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92P E6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4 | auf Bestellung 3994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -250V 260mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92PH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 7.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 47000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: -260mA Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -250V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 On-state resistance: 12Ω | auf Bestellung 2243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -260mA SOT-223-4 | auf Bestellung 3991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 11382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 47000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 283295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PL6327 | Infineon | SOT223 4/ P-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor 240V, 20 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.26A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP92PL6327HTSA1 - BSP92 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0. tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||||
| BSP92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 260mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP92PL6327XT | Infineon technologies | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSPA050120N1P | Bussmann / Eaton | Industrial Surge Protectors BSPA,050KA,STD PKG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSPA050120N4P | Bussmann / Eaton | Industrial Surge Protectors BSPA,050KA,RLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSPA050120N5P | Bussmann / Eaton | Industrial Surge Protectors BSPA,050KA,ALRM,RLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSPA050120N7P | Bussmann / Eaton | Industrial Surge Protectors BSPA,050KA,FLTR,RLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSPA050120N8P | Bussmann / Eaton | Industrial Surge Protectors BSPA,050KA,FLTR,ALRM,RLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSPA050208Y1P | Bussmann / Eaton | Surge Suppressors BSPA,050KA,STD PKG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSPA050240N1P | Bussmann / Eaton | Surge Suppressors BSPA,050KA,STD PKG | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
