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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2924+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2924 Stücke
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PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
475+0.31 EUR
476+0.3 EUR
477+0.29 EUR
478+0.27 EUR
479+0.26 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 30V 4.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.31 EUR
478+0.3 EUR
479+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
901+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 901 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB48EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.7 A, 0.04 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB48EPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2924+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2924 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEA,115NexperiaPMPB50ENEA,115
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2715+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB50ENEA,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEA115Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEAXNexperiaMOSFET MOSFET SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1819+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
872+0.17 EUR
1600+0.088 EUR
1627+0.083 EUR
1651+0.079 EUR
1676+0.075 EUR
1704+0.07 EUR
1731+0.066 EUR
1758+0.065 EUR
1789+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 872 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperiaMOSFET 30V N-CH TRENCHMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3162+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50ENEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3162+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB50XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 110 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 110V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50XNXNexperia USA Inc.Description: PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741.5 pF @ 50 V
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50XNXNexperiaMOSFETs 110 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.61 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB50XNXNexperia USA Inc.Description: PMPB50XN/SOT1220-2/DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 580mW (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741.5 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEANexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEA/S500,XNXP SemiconductorsPMPB55ENEA/S500,X
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2825+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2825 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2831+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
22+0.83 EUR
50+0.61 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaMOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 6381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.42 EUR
100+0.33 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
756+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 756 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 5118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
756+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 756 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
30+0.59 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB55XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 3.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PMPB85ENEA/F,115Nexperia USA Inc.Description: PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2965 Stücke
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PMPB85ENEA/FXNexperiaMOSFET PMPB85ENEA/F/SOT1220/REEL 7" Q
Produkt ist nicht verfügbar
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PMPB85ENEA/FXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEA/FXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB85ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.072 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMPB85ENEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3A
auf Bestellung 4313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.45 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3402+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3402+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3402+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 21397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
25+0.73 EUR
50+0.53 EUR
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
729+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 729 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB85ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB8XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
30+0.59 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB8XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.1 A, 0.0085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB8XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB8XNXNexperiaMOSFET PMPB8XN/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 6335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.81 EUR
10+0.7 EUR
100+0.52 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB8XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.1 A, 0.0085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/F,115Nexperia USA Inc.Description: PMPB95 - 80V, SINGLE N-CHANNEL T
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
auf Bestellung 5115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2522+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2689+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNexperiaMOSFETs PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 43130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2689+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/FXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEA/S500XNexperia USA Inc.Description: PMPB95ENEAX - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMPB95ENEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB95ENEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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PMPB95ENEAXNexperiaMOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET
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PMPF-1PLaird ConnectivityCoaxial Cables FEED,Wire Grid
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PMPF-1PLaird Connectivity Inc.Description: FEED,WIRE GRID
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PMPLAHammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories PM Padlock Adapter Hardware
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PMPQ
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PMPUMP700.3SIKA USA Inc.Description: PRESSURE PUMP SET 0...700 BAR
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