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SIHG186N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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SIHG190N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 428 Stücke:
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1+9.38 EUR
10+6.15 EUR
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500+3.84 EUR
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SIHG190N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG190N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
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SIHG20N50CVISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
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SIHG20N50C
Produktcode: 44837
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/
Montage: THT
auf Bestellung: 140 St.
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1+3.24 EUR
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SiHG20N50C TO-24710+
auf Bestellung 3500 Stücke:
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SIHG20N50C-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHG20N50C-E3
Produktcode: 51442
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Transistoren > MOSFET N-CH
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1+4.12 EUR
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SIHG20N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
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SIHG20N50C-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 292, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2942 @ 25, Qg, нКл = 76 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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SIHG20N50C-E3VishayTransistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.5 EUR
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SIHG20N50C-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.57 EUR
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SIHG20N50C-E3VishayMOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC (аналог IRFP460) Транзистори
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SIHG20N50C-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG20N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG20N50E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+4.55 EUR
100+3.84 EUR
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1000+2.96 EUR
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SIHG20N50E-GE3
Produktcode: 218372
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG20N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.02 EUR
29+6.09 EUR
100+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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SIHG20N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.03 EUR
10+6.65 EUR
50+5.21 EUR
100+4.75 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHG20N50E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHG21N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG21N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.91 EUR
25+6.3 EUR
50+5.7 EUR
100+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHG21N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.97 EUR
27+8.79 EUR
100+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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SIHG21N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+8.62 EUR
100+8.53 EUR
500+4.75 EUR
1000+4.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
25+4.82 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 16.3A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+3.59 EUR
100+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 16.3A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG21N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+4.93 EUR
100+3.49 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.56 EUR
10+6.91 EUR
100+5.33 EUR
500+4.53 EUR
1000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 67A
Power dissipation: 315W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1938 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N60AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
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SIHG22N60AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG22N60AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG22N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG22N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
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SIHG22N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG22N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.5 EUR
25+6.07 EUR
50+5.49 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHG22N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG22N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1363 Stücke:
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SIHG22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG22N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.27 EUR
34+6.89 EUR
100+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SIHG22N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 786 Stücke:
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1+9.15 EUR
10+4.8 EUR
100+4.38 EUR
500+4.15 EUR
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SIHG22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG22N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.5 EUR
25+6.07 EUR
50+5.49 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHG22N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG22N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
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SIHG22N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+5.08 EUR
38+4.68 EUR
39+4.4 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SIHG22N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+5.08 EUR
38+4.57 EUR
39+4.24 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SIHG22N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.16 EUR
25+5.84 EUR
50+5.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SIHG22N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SIHG22N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SIHG22N60EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N60EL-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 45A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N60EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N60S-E3
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG23N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+6.65 EUR
100+4.9 EUR
500+4.37 EUR
1000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
10+8.98 EUR
50+7.13 EUR
100+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.63 EUR
10+6.22 EUR
100+5.69 EUR
500+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.06 EUR
28+8.59 EUR
100+6.72 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
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SIHG24N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG24N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
auf Bestellung 333 Stücke:
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3+8.85 EUR
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SIHG24N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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SIHG24N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.184 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.184ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 516 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SIHG24N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG24N80AE-GE3VishayMOSFET N-CH 800V 21A TO-247AC Транзистори
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SIHG24N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG24N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
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SIHG24N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
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31+7.66 EUR
100+5.09 EUR
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SIHG24N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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SIHG24N80AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG24N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.09 EUR
10+6.75 EUR
100+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG25N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+5.06 EUR
100+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG25N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.16 EUR
10+5.18 EUR
25+5.16 EUR
100+4.19 EUR
500+3.82 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG25N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH