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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK160F10N1LQ(O-XToshibaMOSFET
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TK16102MTLTOKO
auf Bestellung 7200 Stücke:
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TK16110MTOKO
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TK16111MTL
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TK16112MTCTOKO00+
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TK16140MTLTOKO
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TK16140MTL-G
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TK16213M (TC)Description: BOATING TAPE KIT
Packaging: Bulk
Quantity: Hooks (2), Rolls (2), Strips (44)
Tape Type: Marine
Tape Included: 17002, 2120, 220, 310, 3431, 4950, 838, EMB-45R, SJ3000, SJ3550, SJ3560
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TK165A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
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TK165E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
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TK165U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK165U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650V 0.165OHM TOLL D
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.09 EUR
10+8.83 EUR
50+7 EUR
100+6.41 EUR
500+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK165U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 650V 0.165OHM TOLL D
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK165V60Z1,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK165V60Z1,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.165 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 1666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.09 EUR
27+8.63 EUR
100+4.99 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK165V65Z5,LQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=150W F=1MHZ
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK16893M (TC)Description: PLANT SAFETY TAPE KIT
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TK16A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 450V 50W 2300pF 0.27
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TK16A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK16A55DToshibaToshiba
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TK16A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
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TK16A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK16A60WToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK16A60W,S4VX
Produktcode: 215227
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Transistoren > MOSFET N-CH
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TK16A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+3.86 EUR
100+3.72 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.75 EUR
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TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.47 EUR
39+6.01 EUR
100+3.83 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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TK16A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.68 EUR
52+3.4 EUR
100+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.4 EUR
65+2.73 EUR
72+2.42 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.44 EUR
64+2.69 EUR
71+2.34 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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TK16A60W5,S4VX
Produktcode: 175497
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+3.86 EUR
100+3.36 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.15 EUR
10+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.38 EUR
39+5.96 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5S4VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5S4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
10+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaN-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+3.17 EUR
100+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.99 EUR
41+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.47 EUR
29+8.26 EUR
100+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.99 EUR
41+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.04 EUR
27+8.6 EUR
100+4.97 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60WS1VX(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.91 EUR
10+10.14 EUR
100+7.44 EUR
500+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.22 EUR
22+10.89 EUR
100+7.74 EUR
500+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.22 EUR
22+10.89 EUR
100+7.74 EUR
500+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
10+5.28 EUR
100+3.72 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.63 EUR
10+3.89 EUR
100+3.53 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16H60C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.3 EUR
10+10.12 EUR
100+7.06 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W5,S1VQToshibaMOSFETs TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.57 EUR
10+6.75 EUR
100+5.57 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
25+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 15.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 15.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Pulsed drain current: 63.2A
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.8 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.57 EUR
33+7.19 EUR
100+4.8 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4 EUR
2500+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH