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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK16A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.92 EUR
70+2.46 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX
Produktcode: 175497
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+3.86 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
45+5.25 EUR
100+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5S4VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60W5S4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+6.15 EUR
25+6.14 EUR
50+3.25 EUR
100+2.98 EUR
250+2.95 EUR
500+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshibaN-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
41+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.87 EUR
41+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.27 EUR
31+7.59 EUR
100+5.06 EUR
500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16E60W5,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.04 EUR
27+8.6 EUR
100+4.97 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60W5S1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60WS1VX(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16E60WS1VX(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.91 EUR
10+10.14 EUR
100+7.44 EUR
500+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.22 EUR
22+10.89 EUR
100+7.74 EUR
500+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16G60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.22 EUR
22+10.89 EUR
100+7.74 EUR
500+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+4.9 EUR
25+4.63 EUR
100+3.97 EUR
250+3.75 EUR
500+3.52 EUR
1000+3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
10+5.28 EUR
100+3.72 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16G60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16H60C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W,S1VEToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 9 Stücke:
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2+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TK16J60W,S1VEToshibaMOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 74 Stücke:
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1+14.3 EUR
10+10.12 EUR
100+7.06 EUR
500+5.95 EUR
1000+5.81 EUR
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TK16J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
auf Bestellung 59 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W5,S1VQToshibaMOSFETs TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 73 Stücke:
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1+11.57 EUR
10+6.75 EUR
100+5.57 EUR
500+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
25+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.06 EUR
10+6.26 EUR
120+5.19 EUR
510+4.41 EUR
1020+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 63.2A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 63.2A
Gate charge: 43nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16N60W5S1VF(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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TK16N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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TK16N60WS1VF(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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TK16V60WToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
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TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TK16V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.57 EUR
33+7.19 EUR
100+4.8 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 139W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.8 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+5.34 EUR
100+4.32 EUR
500+3.84 EUR
1000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.81 EUR
100+4.88 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.08 EUR
2500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.29 EUR
34+6.99 EUR
100+4.61 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.61 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60W5LVQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK16V60WLVQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17020TLTOKOSOP8
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17021LTL
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17024MTLTOKO2004
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17024MTL-GTOKO,INC2006
auf Bestellung 125000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17030MTL
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17030MTL-G
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17030MTL/030
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17040MTLTOKO
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17040MTL/040
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 17P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 17
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK17058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
auf Bestellung 4933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.13 EUR
10+6.05 EUR
100+4.28 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQToshibaMOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+7.91 EUR
100+5.71 EUR
500+5.32 EUR
1000+4.96 EUR
2500+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+6.99 EUR
50+6.33 EUR
100+5.53 EUR
250+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.52 EUR
30+7.77 EUR
100+5.14 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
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25+7.16 EUR
27+6.31 EUR
29+5.69 EUR
50+5.06 EUR
100+4.39 EUR
250+3.58 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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TK170V65Z,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
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25+7.16 EUR
27+6.45 EUR
29+5.9 EUR
50+5.34 EUR
100+4.76 EUR
250+3.99 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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TK170V65ZLQ(SToshibaArray
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TK17119FTOKO04+ SOT-23-8
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TK172PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+20.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK172PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+20.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TK172PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,both sides; 2m; Plating: gold-plated
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: both sides; Jack 3.5mm 3pin plug
Version: stereo
Cable length: 2m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.22mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 10 Stücke:
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4+23.22 EUR
5+20.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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