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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.65 EUR
279+0.62 EUR
283+0.6 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF
Produktcode: 163510
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.09 EUR
168+1.02 EUR
525+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
79+2.19 EUR
150+1.94 EUR
300+1.68 EUR
525+1.58 EUR
1050+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
100+2.34 EUR
118+1.82 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+2.15 EUR
100+1.82 EUR
500+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.09 EUR
168+1 EUR
525+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR430ATRPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRLPBFVISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
103+2.27 EUR
139+1.55 EUR
500+1.15 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
103+2.27 EUR
139+1.55 EUR
500+1.15 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.82 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRPBFIR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 49950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
634+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 634 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTFFAIRCHILD
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 258610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1336+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 207739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430TRFAIRCHIL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510PBFIRFR4510PBF Транзисторы
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineonMOSFET N CH 100V 56A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
78+2.23 EUR
100+1.71 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.21 EUR
4000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3031 @ 50, Qg, нКл = 81 @ 10 В, Rds = 13,9 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 143, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.12 EUR
100+1.55 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.12 EUR
4000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
78+2.17 EUR
100+1.65 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.12 EUR
4000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC
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IRFR4615PBFInternational RectifierDPAK Транзистори
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IRFR4615PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 пФ @ 50 В, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 24 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615PBF
Produktcode: 115461
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR4615TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 33A DPAK Транзистори
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IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
112+1.93 EUR
500+1.59 EUR
1500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
84+2.06 EUR
119+1.42 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.57 EUR
10+2.93 EUR
50+2.21 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.01 EUR
84+2.01 EUR
119+1.37 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBF
Produktcode: 189386
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
76+3.06 EUR
112+1.93 EUR
500+1.59 EUR
1500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.38 EUR
128+1.34 EUR
153+1.09 EUR
250+1.06 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
127+1.32 EUR
128+1.26 EUR
153+1.01 EUR
250+0.96 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.28 EUR
500+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBF
Produktcode: 37550
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 24 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25
Montage: SMD
auf Bestellung: 25 St.
  • 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.31 EUR
10+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBFInfineonDPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
80+2.17 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.53 EUR
100+2.4 EUR
250+2.28 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.51 EUR
60+2.84 EUR
76+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.9 EUR
1500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.45 EUR
9000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 7630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.09 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.39 EUR
9000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInternational RectifierIRFR4620TRLPBF IRFR4620TRPBF DPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.11 EUR
100+2.05 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.95 EUR
76+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
63+3.71 EUR
100+2.4 EUR
500+1.9 EUR
1500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.42 EUR
9000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 17486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.21 EUR
50+2.44 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR4620TRLPBF-ELInfineon
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFR48Z
Produktcode: 99948
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IRFR48ZInternational RectifierN-MOSFET 55V 42A 91W IRFR48Z TIRFR48z
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFR48ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR48ZTRLInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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