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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.68 EUR
6000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+2.32 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.16 EUR
3000+1.12 EUR
6000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInternational RectifierD-PAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.52 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+1.52 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.22 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505ir09+
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 157mOhm; 9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR UMW TIRFR5505 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 525 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505CTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+0.35 EUR
430+0.33 EUR
437+0.31 EUR
444+0.29 EUR
452+0.28 EUR
459+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 423 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBFIRFR5505PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9,6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 23 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBF
Produktcode: 49825
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: SMD
auf Bestellung 384 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.78 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505 TIRFR5505
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR HXY MOSFET TIRFR5505 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505 TIRFR5505
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR JGSEMI TIRFR5505 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5505TRLPBF - IRFR5505 - POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.44 EUR
100+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
608+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 608 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFTYSMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
4000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
14000+0.47 EUR
20000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 470 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
auf Bestellung 15900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.72 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.77 EUR
4000+0.72 EUR
6000+0.69 EUR
10000+0.65 EUR
14000+0.63 EUR
20000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineonMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.62 EUR
4000+0.58 EUR
6000+0.56 EUR
10000+0.54 EUR
14000+0.52 EUR
20000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
60+1.21 EUR
69+1.04 EUR
86+0.84 EUR
101+0.71 EUR
117+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 49962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.88 EUR
135+1.07 EUR
165+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 62583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+1.78 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5505TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215
Produktcode: 170820
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 150 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/66
/: SMD
auf Bestellung 137 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 13 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 295 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.2 EUR
10+2.04 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.52 EUR
125+1.13 EUR
126+1.08 EUR
161+0.81 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.87 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.18 EUR
126+1.15 EUR
161+0.88 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBF
Produktcode: 187580
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRLPBFARMA1International Rectifier HiRel ProductsIRFR6215TRLPBFARMA1
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+1.3 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 9445 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
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2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 31345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.13 EUR
10+2 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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195+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.9 EUR
4000+0.84 EUR
6000+0.81 EUR
10000+0.77 EUR
14000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR6215TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7197 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR6215TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
auf Bestellung 1876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.94 EUR
60+1.2 EUR
68+1.06 EUR
74+0.97 EUR
100+0.88 EUR
250+0.78 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.75 EUR
4000+0.71 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори
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IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
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1+2.92 EUR
10+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
2000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR6215TRRPBF - IRFR6215 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRPBFInfineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+2.64 EUR
100+2.06 EUR
500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR6215TRRPBF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+1.3 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 421 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRRPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7440Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7440PBFInternational RectifierMOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7440PBFInfineon / IRMOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, D-Pak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7440TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR7440TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,8mOhm; 180A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7440; IRFR7440TR; SP001555130; SP001573310; IRFR7440TR UMW TIRFR7440 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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