Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR540ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410 | TECH PUBLIC | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; Replacement: IRFR5410TR; IRFR5410TRL; IRFR5410; IRFR5410-GURT IRFR5410 TIRFR5410 TEC Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5410 Produktcode: 1670
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Id, A: 5,9 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410HR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 38820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410PBF - IRFR5410 100V SINGLE P-CHANNEL POWER MO tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 37100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 10, Р, Вт = 66 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410PBF Produktcode: 37144
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR5410TR | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118; IRFR5410TR JSMICRO TIRFR5410 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TR | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5410; IRFR5410TRL; IRFR5410TR; IRFR5410TRR; IRFR5410 smd TIRFR5410 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC | auf Bestellung 8687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | auf Bestellung 21793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | International Rectifier | IRFR5410TRPBF -100 В -13 А (TO-252) D-Pak Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 27895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF Produktcode: 185744
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | verfügbar 588 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | International Rectifier | D-PAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC | auf Bestellung 20217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 27895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5410TRRPBF - IRFR5410 - HEXFET POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRFR5410TRRPBF | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | International Rectifier | D-PAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC | auf Bestellung 3631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 525 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505 | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 157mOhm; 9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR UMW TIRFR5505 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5505 | ir | 09+ | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505CTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505PBF Produktcode: 49825
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| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-252 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/32 Montage: SMD | auf Bestellung: 382 St.
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| IRFR5505PBF | IRFR5505PBF Транзисторы | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFR5505PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9,6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | verfügbar 23 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR JGSEMI TIRFR5505 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TR | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR HXY MOSFET TIRFR5505 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TR | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505 TIRFR5505 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC | auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505TRLPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5505TRLPBF - IRFR5505 - POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 398 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC | auf Bestellung 33488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | auf Bestellung 49205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори | auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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