Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Case: PG-SOT23 Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 0.15Ω Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W | auf Bestellung 1234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 43419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 15419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS215PH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS215PL6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS215PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS22 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS223PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3 | auf Bestellung 9808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -20V 390mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 12658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 53586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 39983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 12658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Drain current: -0.39A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PG-SOT-323 On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD | auf Bestellung 1095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 33782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 43478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon | BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323 Транзистори | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3 | auf Bestellung 464 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS223PWL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323-3-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS223PWL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS223PWL6327XT | Infineon technologies | auf Bestellung 2729 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS225 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS225 H6327 | Infineon | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS225 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | auf Bestellung 5388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS225 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 90mA On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3 | auf Bestellung 4419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon | N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327FTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS225L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS229 | INF | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS23 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS24 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS25 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| Bss250 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 250mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.250MXP; 179020.0,25; 0034.1510 Fuse: fast-acting; 250mA Bss250 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| Bss250 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 250mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.250MXP; 179020.0,25; 0034.1510 Fuse: fast-acting; 250mA Bss250 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS26 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS27 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS28 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS29 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS295 Transistor Produktcode: 64622
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS296 | SIEMENS | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS30 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS306N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS306N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS306NH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 5810 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS306NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon | Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB; BSS306NH6327 Infineon TBSS306n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 | auf Bestellung 63461 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 94928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 131616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS306NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS306NL6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS306NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS308PE | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS308PE | EVVO | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS308PE | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS308PE | EVVO | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS308PE H6327 | Infineon | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS308PE H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS308PEH6327 | Infineon | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS308PEH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3 | auf Bestellung 13149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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