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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK763R8-80ENexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.52 EUR
25+9.33 EUR
100+6.91 EUR
500+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
10+5.34 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 778A; 349W
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 778A
Power dissipation: 349W
Gate charge: 169nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK763R8-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.52 EUR
25+9.33 EUR
100+6.91 EUR
500+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118NexperiaMOSFETs BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.01 EUR
10+5.97 EUR
100+4.24 EUR
500+3.62 EUR
800+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12030 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R8-80E - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R8-80E118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK763R8-80E - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R9-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R9-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R9-60E,118NexperiaMOSFETs BUK763R9-60E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.8 EUR
100+3.5 EUR
500+2.92 EUR
800+2.7 EUR
2400+2.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R9-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.19 EUR
500+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK763R9-60E/GFJNXP USA Inc.Description: TRANS N-CH D2PAK
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7640-100APHILIPSTO-263
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7640-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 1548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.93 EUR
100+2.37 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7640-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7640-100A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7640-100A - POWE
auf Bestellung 4269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7640100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 77600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.83 EUR
5600+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.89 EUR
10+3.82 EUR
100+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 77600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.65 EUR
5600+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.02 EUR
1600+1.88 EUR
2400+1.81 EUR
4000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 40V 75A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK764R0-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 774A; 300W
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 774A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 86nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118NexperiaMOSFETs BUK764R0-55B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.74 EUR
25+4.05 EUR
100+3.61 EUR
500+3.39 EUR
800+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
auf Bestellung 3794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+4.84 EUR
100+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK764R0-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6776 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.49 EUR
1600+2.99 EUR
2400+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 193A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-75C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK764R0-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK764 - N-CHANNEL MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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BUK764R0-75C,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 75V 199A 3pin(2+Tab)
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BUK764R0-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK764R0-75C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 25 V
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BUK764R055B
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BUK764R2-80E,118NXP SemiconductorsBUK764R2-80E,118
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115+5.76 EUR
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BUK764R2-80E,118NexperiaMOSFETs BUK764R2-80E/SOT404/D2PAK
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BUK764R2-80E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 713A
Power dissipation: 324W
Gate charge: 136nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK764R2-80E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
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202+3.01 EUR
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BUK764R3-40BPHILIPSTO-263
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BUK764R3-40B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4824 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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BUK764R3-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1834 Stücke:
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206+3.21 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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BUK764R3-40B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4824 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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BUK764R3-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.21 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.77 EUR
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BUK764R340B
auf Bestellung 8639 Stücke:
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BUK764R4-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 620A; 234W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BUK764R4-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK764R4-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+4.27 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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BUK764R4-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK764R4-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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BUK764R4-60E,118NexperiaMOSFETs BUK764R4-60E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3197 Stücke:
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1+6.83 EUR
10+4.46 EUR
100+3.12 EUR
500+2.4 EUR
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BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.74 EUR
500+5.38 EUR
1000+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.74 EUR
500+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.42 EUR
10+6.24 EUR
100+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BUK765R0-100E,118NexperiaMOSFETs BUK765R0-100E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+5.65 EUR
100+4.13 EUR
500+3.36 EUR
800+3.08 EUR
2400+2.93 EUR
4800+2.81 EUR
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BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.74 EUR
500+5.38 EUR
1000+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BUK765R0-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK765R0-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK765R2-40BNexperiaMOSFET
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BUK765R2-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK765R2-40B,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK765R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 143A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+2.05 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+2.05 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+2.05 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK765R2-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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BUK765R2-40B,118
Produktcode: 178127
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK765R2-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3789 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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BUK765R2-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK765R2-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 143A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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BUK765R2-40B118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK765R2-40B 75A, 4
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BUK765R240B
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BUK765R3-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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BUK765R3-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
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BUK765R3-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK765R3-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK765R3-40E,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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800+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK765R3-40E118Rochester Electronics, LLCDescription: NOW NEXPERIA BUK765R3-40E - POWE
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BUK7660-100A
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BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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175+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BUK7660-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 4800 Stücke:
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BUK7660100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK766R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK766R0-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK766R0-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.00458 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 182
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00458
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00458
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK766R0-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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BUK766R0-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+3.33 EUR
100+2.43 EUR
500+2.31 EUR
800+1.67 EUR
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BUK766R0-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
172+0.99 EUR
176+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK766R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.39 EUR
50+3.37 EUR
100+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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