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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB144N12N3 GInfineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.93 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.36 EUR
100+2.43 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 56A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB144N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
55+4.3 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB147N03infineon07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB147N03L GINFTO-263
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB147N03LGinfineon07+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB147N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
644+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB147N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 20A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03INFINEONTO-263
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03Linfineon04+
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LAinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LAInfineon TechnologiesMOSFET Discrete Semiconductor Products
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LA GINFTO-263
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LAGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LAP
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB14N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.19 EUR
16+10.9 EUR
25+9.32 EUR
100+8.6 EUR
500+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.42 EUR
18+13.6 EUR
19+11.35 EUR
50+10.13 EUR
100+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.85 EUR
10+10.79 EUR
100+7.93 EUR
500+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+7.95 EUR
100+7.46 EUR
500+6.9 EUR
1000+6.38 EUR
10000+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.21 EUR
16+11.16 EUR
25+9.7 EUR
100+9.1 EUR
500+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.74 EUR
10+11.52 EUR
25+10.45 EUR
100+9.59 EUR
250+9.03 EUR
500+8.48 EUR
1000+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+7.95 EUR
100+7.46 EUR
500+6.9 EUR
1000+6.38 EUR
10000+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB156N22NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 72 A, 0.0129 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0129ohm
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.42 EUR
18+13.6 EUR
19+11.35 EUR
50+10.13 EUR
100+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 220V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+7.95 EUR
100+7.46 EUR
500+6.9 EUR
1000+6.38 EUR
10000+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB156N22NFDE8187ATMA1Infineon TechnologiesIPB156N22NFDE8187ATMA1
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+7.93 EUR
100+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB15N03
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB15N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB15N03LAinfineon07+
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB15N03LTINFINEONTO263
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2-03infineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+3.36 EUR
500+3.13 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.19 EUR
27+6.28 EUR
100+4.64 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+6.43 EUR
25+5.37 EUR
100+4.86 EUR
1000+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.95 EUR
30+7.89 EUR
100+5.36 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4 EUR
1000+3.71 EUR
10000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.16 EUR
28+6.13 EUR
100+4.46 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 390995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.3 EUR
500+4 EUR
1000+3.71 EUR
10000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S203ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.36 EUR
500+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S203ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 424282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
114+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2K-03infineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S2L03ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S3-H2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S3H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 83729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
123+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4-H1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+4.19 EUR
100+2.95 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 8292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 167W
Drain current: 160A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2 EUR
3000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.03 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB160N04S4H1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 8292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
50+4.64 EUR
100+3.02 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+3.17 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.19 EUR
50+3.22 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.2 EUR
59+2.88 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.74 EUR
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IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3820 Stücke:
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44+3.96 EUR
100+2.65 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+1.98 EUR
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4H1ATMA1Infineon
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IPB160N04S4H1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1)
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPB160N04S4L-H1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 864 Stücke:
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213+3.03 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.19 EUR
50+3.22 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.03 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.03 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 160A
Gate-source voltage: -16...20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+4.13 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.03 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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IPB160N04S4LH1ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
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