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IPB35N10S3L26ATMA1

Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 311 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	3.8 EUR
83+	2.81 EUR
100+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N10S3L26ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.55 EUR
10+	3.59 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N10S3L26ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 35A; 71W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N10S3L26ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N10S3L26ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N12S3L26ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N12S3L26ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 100+

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB35N12S3L26ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 23000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

437+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 437 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB4

Eaton Electrical

LD INTERPHASE BARRIER EXTERNAL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 126 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.31 EUR
15+	15.59 EUR
18+	12.21 EUR
50+	12.16 EUR
100+	9.29 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 126 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.31 EUR
15+	15.59 EUR
18+	12.21 EUR
50+	12.16 EUR
100+	9.29 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MV POWER MOS

auf Bestellung 493 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.29 EUR
10+	11.69 EUR
25+	11.65 EUR
100+	9.2 EUR
250+	9.15 EUR
500+	8.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB407N30NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	18.54 EUR
10+	12.72 EUR
100+	9.44 EUR
500+	8.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N04S4L-08

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N04S4L-08

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

693+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 693 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S3-16

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S3-16

09+

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S3L-13

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 26A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4-09

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 1074 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S409ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S409ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 353 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S409ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S409ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L-08

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L08ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L08ATMA3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L08ATMA3

Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L08ATMA3

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 1314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.19 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.31 EUR
2000+	1.23 EUR

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IPB45N06S4L08ATMA3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.69 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45N06S4L08ATMA3

Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	5.2 EUR
75+	3.11 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

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IPB45P03P4L-11

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45P03P4L11ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB45P03P4L11ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 841 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.21 EUR
10+	3.77 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.06 EUR
2000+	1.9 EUR
5000+	1.84 EUR

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IPB45P03P4L11ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB47N10S-33

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB47N10S-33

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB47N10S-33

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB47N10S33

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB47N10S33ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB47N10S33ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

311+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 311 Stücke

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IPB47N10S33ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB47N10SL-26

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB47N10SL-26

Infineon Technologies

Description: IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB47N10SL26ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

iPB48003A150V-001-R

Isolated DC/DC Converters 45W 15V 3A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

iPB48004A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters 48W 12V 4A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

iPB48010A033V-001-R

Isolated DC/DC Converters 33W 3.3V 10A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB5

Eaton Electrical

KIT INTERPHASE BARRIER

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB50CN10NG

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB50CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

533+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 533 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50CN10NGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L-16

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L-16

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

auf Bestellung 1544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L-16

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.82 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.83 EUR
2000+	1.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L-16

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

auf Bestellung 1544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.15 EUR
500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.81 EUR
2000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Description: INFINEON - IPB50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	7.43 EUR
52+	4.47 EUR
100+	3.15 EUR
500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 34 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1101 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.87 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	2.87 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N10S3L16ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N12S3L15ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.11 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.69 EUR
500+	3.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50N12S3L15ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPB50R140CP

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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1+	8.27 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.81 EUR
1000+	3.22 EUR
2000+	3.06 EUR

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IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

auf Bestellung 1356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	5.49 EUR
100+	3.89 EUR
500+	3.61 EUR

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IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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38+	4.63 EUR
39+	4.41 EUR
40+	4.22 EUR
100+	4.11 EUR
250+	4.01 EUR

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IPB50R140CPATMA1

Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.19 EUR
500+	4.63 EUR

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IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 338 Stücke:

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38+	4.63 EUR
39+	4.32 EUR
40+	4.07 EUR
100+	3.88 EUR
250+	3.7 EUR

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IPB50R140CPATMA1

Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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34+	6.94 EUR
100+	5.19 EUR
500+	4.63 EUR

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IPB50R199CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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IPB50R199CP

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2

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Mindestbestellmenge: 213 Stücke

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IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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1+	7.14 EUR
10+	4.66 EUR
100+	3.39 EUR
500+	2.84 EUR
1000+	2.7 EUR

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IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB50R199CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB50R250CP

07+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB50R250CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 13A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 829 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB50R250CP

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50R250CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPB50R299CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB50R299CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB50R299CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

auf Bestellung 65886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

209+	2.61 EUR

Mindestbestellmenge: 209 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB530N15N3 G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3

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