Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IPP60R120P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 95W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 26A TO-220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | auf Bestellung 686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R120P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 95W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 28980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 219W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm | auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 56500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125CP | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CP Produktcode: 62498
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 2332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125CPXKSA1 | Infineon | IPP60R125CPXKSA1 N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125P6 | Infineon | auf Bestellung 28500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R125P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.113 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 219W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R145CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R160C6 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P6 | Infineon technologies | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R160P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P7 | Infineon Technologies | IPP60R160P7 | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
