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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7366DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7366DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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SI7368DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7368DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7370
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7370ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7370ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7370DPVISHAYQFN-8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7370DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI7460DP-T1-E3
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SI7370DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 Транзистори
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SI7370DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 34383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+3.81 EUR
100+3.03 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.03 EUR
6000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
auf Bestellung 24515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.62 EUR
10+4.32 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7370DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.6 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
50+5.25 EUR
100+3.53 EUR
500+3.13 EUR
1500+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-GE3VishaySI7370DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+5.77 EUR
100+4.64 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7370DP-T1-GE3VishaySI7370DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
69+2.44 EUR
70+2.31 EUR
100+2.19 EUR
250+2.06 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 46332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+4.13 EUR
100+3.22 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.37 EUR
3000+2.28 EUR
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SI7374DP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7374DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
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SI7374DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.6mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
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SI7376DP-T1-E3
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7380ADP-T1-E3VISHAY07+
auf Bestellung 10854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7380ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7380ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7380DP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7382DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7382DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7382DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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SI7382DP-T1-E3
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7382DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7384DP-T1
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7384DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7384DP-T1-GE3
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 9.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 4178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.55 EUR
100+1.76 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W
auf Bestellung 1203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V
auf Bestellung 12100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.48 EUR
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.74 EUR
3000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 28706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
13+1.69 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7386DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 9.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7392ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
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SI7404DN-TI-E3
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SI7405BDN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V
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SI7405BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
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