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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFRC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+1.55 EUR
100+1.48 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
3000+0.86 EUR
9000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVishay SiliconixIRFRC20PBF IRFRC20 DPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.7 EUR
282+0.6 EUR
286+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.62 EUR
286+0.6 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF
Produktcode: 110642
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 4.4Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
90+0.95 EUR
106+0.81 EUR
150+0.77 EUR
525+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
171+1.37 EUR
182+1.18 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.93 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.58 EUR
3000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRVishay SiliconixDPAK=TO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
82+2.83 EUR
105+2.05 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
100+1.95 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.5 EUR
60+2.8 EUR
100+1.83 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
102+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
auf Bestellung 7212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.62 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.56 EUR
100+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
10+2.26 EUR
100+1.67 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRLPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 600V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.59 EUR
2000+1.48 EUR
4000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBF
Produktcode: 40234
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.13 EUR
10+1 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.61 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFRC20TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
95+2.46 EUR
143+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.62 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
13+1.65 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.02 EUR
8000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.45 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 600V 2A N-CH
auf Bestellung 14855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.77 EUR
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.48 EUR
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
13+1.63 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRQ9220TRPBF
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-040.6-NONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.6MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-040.6-PONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.6MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-040.8-NONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-040.8-PONC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-NNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-NNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-050.8-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 0.8MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.031" (0.8mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-NNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-NNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-NOWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-NOWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-PNWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
Part Status: Active
Indicator: LED
Ingress Protection: IP67
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Polyamide (PA), Stainless Steel
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Cable Leads
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M5
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-PNWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-POWC2KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS-0501-POWP3KF ControlDescription: PROXIMITY SENSOR IND 1MM
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ASiliconixN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50AVishayN-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS11N50APBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50A(94-2401)
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
67+3.47 EUR
100+3.02 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.62 EUR
40+4.31 EUR
61+2.77 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
68+2.49 EUR
69+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.47 EUR
25+3.53 EUR
28+3.08 EUR
50+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.06 EUR
75+3.69 EUR
150+3.36 EUR
525+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
61+2.84 EUR
100+2.53 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.05 EUR
59+2.93 EUR
60+2.74 EUR
100+2.42 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.43 EUR
50+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.28 EUR
150+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 500V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.56 EUR
10+3.64 EUR
100+3.27 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
77+2.2 EUR
150+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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30+5.82 EUR
33+5.32 EUR
56+3.05 EUR
100+2.74 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.08 EUR
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IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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55+3.18 EUR
75+2.86 EUR
150+2.38 EUR
525+2.21 EUR
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IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 858 Stücke:
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55+3.19 EUR
75+2.8 EUR
150+2.3 EUR
525+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFS11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFS11N50ATRLIR01+
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IRFS11N50ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS11N50ATRLPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
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IRFS11N50ATRRPVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRFS11N50ATRRPVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 11 Amp
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