Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 27200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 38400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 31A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 71W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg | auf Bestellung 8272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | auf Bestellung 13600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 68800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 68800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20D | IR | TO-263 | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DPBF IR Transistor Produktcode: 60357
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 23200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC | auf Bestellung 1252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 18400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS38N20DTRRP | Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRRP | Infineon | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS38N20DTRRPBF | IR | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFS4010 Produktcode: 99512
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 100 Idd,A: 130 Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9830/150 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4010 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFS4010-7P | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010-7P Produktcode: 99513
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak-7P Uds,V: 100 Idd,A: 130 Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9830/150 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4010-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010-7PPBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010PBF | International Rectifier | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010PBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRL | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 150A; 312W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFS4010; IRFS4010TRL; IRFS4010TRR; SP001578304; SP001550124; SP001576222; IRFS4010TRL JGSEMI TIRFS4010 JGS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4010TRL | import | N-MOSFET 180A 100V 375W Substitute: IRFS4010TRL; IRFS4010-GURT; IRFS4010; IRFS4010TRR; IRFS4010 TIRFS4010 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRL7PP | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRL7PP Produktcode: 142952
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| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 46064 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 92800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | auf Bestellung 5897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS4010TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
