Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFS31N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20DTRLP (D2-PAK) Produktcode: 160050
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS31N20DTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20DTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20DTRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20DTRRP | Infineon / IR | MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20DTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS31N20NS | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS3206 Produktcode: 99508
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,4 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS3206PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3206PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 120nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3206TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFS3206, IRFS3206TRR IRFS3206 TIRFS3206 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3206TRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207 | IR | TO-263 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207PBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC | auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V | auf Bestellung 5396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Verlustleistung: 300 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 180A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207Z | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207Z Produktcode: 99509
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6920/120 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207ZPBF | International Rectifier | N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 75V; 170A; 300W; D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 13460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207ZTRRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3207ZTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3306 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRFS3306 TIRFS3306 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS3306 Produktcode: 99510
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4520/85 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS3306 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3306PBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 85nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3306PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 230W Pulsed drain current: 620A | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg | auf Bestellung 916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V | auf Bestellung 6098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3306TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3307 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 130A 6.3mOhm 120nC | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307Z | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307Z Produktcode: 99511
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,6 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4750/79 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZPBFTRL | INTERNATIONAL RECTIFIER S.E. | 0652 | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg | auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 90142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V | auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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