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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.75 EUR
2400+0.7 EUR
4800+0.68 EUR
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IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.13 EUR
132+1.1 EUR
169+0.84 EUR
250+0.81 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38400 Stücke:
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800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
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145+1.01 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1398 Stücke:
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91+1.61 EUR
130+1.09 EUR
132+1.03 EUR
169+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
auf Bestellung 8272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1 EUR
800+0.88 EUR
2400+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1 EUR
1600+0.92 EUR
2400+0.88 EUR
4000+0.84 EUR
5600+0.81 EUR
8000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 68800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.76 EUR
1600+0.74 EUR
2400+0.61 EUR
4000+0.59 EUR
5600+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.83 EUR
100+1.72 EUR
250+1.62 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.83 EUR
82+1.77 EUR
102+1.39 EUR
200+1.28 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.86 EUR
6400+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 68800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.75 EUR
1600+0.72 EUR
2400+0.59 EUR
4000+0.56 EUR
5600+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3806TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DIRTO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 43A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DPBF IR Transistor
Produktcode: 60357
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.87 EUR
10+5.18 EUR
100+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.09 EUR
1600+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.26 EUR
2400+2.17 EUR
4800+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.03 EUR
1600+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.05 EUR
1600+1.96 EUR
2400+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.85 EUR
1600+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.98 EUR
59+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.45 EUR
1600+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.24 EUR
2400+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.67 EUR
4800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.57 EUR
1600+2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 393 Stücke:
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38+3.86 EUR
52+2.79 EUR
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+1.97 EUR
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
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1+6.48 EUR
10+4.22 EUR
100+3.01 EUR
500+2.76 EUR
800+2.46 EUR
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16800 Stücke:
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800+2.06 EUR
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+2.43 EUR
4800+2.19 EUR
9600+1.99 EUR
14400+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.07 EUR
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16800 Stücke:
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800+2.56 EUR
1600+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS38N20DTRLPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
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34+4.33 EUR
50+3.17 EUR
100+3.02 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRFS38N20DTRRPInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS38N20DTRRPInfineon
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS38N20DTRRPBFIR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFS4010
Produktcode: 99512
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9830/150
JHGF: SMD
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1+5.04 EUR
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IRFS4010Infineon Technologies
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IRFS4010-7PInfineon TechnologiesMOSFETs
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IRFS4010-7P
Produktcode: 99513
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak-7P
Uds,V: 100
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9830/150
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.04 EUR
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IRFS4010-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010-7PPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010PBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC
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IRFS4010PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 150A; 312W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFS4010; IRFS4010TRL; IRFS4010TRR; SP001578304; SP001550124; SP001576222; IRFS4010TRL JGSEMI TIRFS4010 JGS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLimportN-MOSFET 180A 100V 375W Substitute: IRFS4010TRL; IRFS4010-GURT; IRFS4010; IRFS4010TRR; IRFS4010 TIRFS4010
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.87 EUR
50+4.61 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PP
Produktcode: 142952
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 46064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.23 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.92 EUR
10000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.73 EUR
1600+1.7 EUR
2400+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 5897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.95 EUR
10+3.89 EUR
100+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.78 EUR
1600+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.03 EUR
1600+1.79 EUR
2400+1.69 EUR
4000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.23 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.25 EUR
50+3.39 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.11 EUR
1600+1.97 EUR
2400+1.9 EUR
4000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.56 EUR
43+3.37 EUR
100+1.97 EUR
800+1.86 EUR
1600+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.76 EUR
1600+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFS4010TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4010TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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