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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com | auf Bestellung 4713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 52А; 78Вт Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 82 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | BSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB056N10NN3GXUMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA3 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB056N10NN3GXUMA3 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3G | Infineon technologies | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB104N08NP3GXUMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUMA3 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUMA3 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB104N08NP3GXUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 3564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB1270002 | TXC Corporation | Standard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB1270002 | TXC CORPORATION | Description: OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB1270003 | TXC CORPORATION | Description: XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL Base Resonator: Crystal Frequency: 212.5 MHz Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm) Voltage - Supply: 3.3V Frequency Stability: ±100ppm Operating Temperature: -5°C ~ 85°C Type: XO (Standard) Function: Enable/Disable Output: LVPECL Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB1270003 | TXC Corporation | Standard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V -5C +85C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB14D | Bussmann / Eaton | Circuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | auf Bestellung 9105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 | auf Bestellung 9105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3G | Infineon Technologies | Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | auf Bestellung 4012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB165N15NZ3G | Infineon technologies | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V | auf Bestellung 8786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB165N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3 | auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB165N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3GXUMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3GXUMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3GXUMA3 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB165N15NZ3GXUMA3 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB20KRT Produktcode: 98225
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Lieblingsprodukt
| Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSB20KSW Produktcode: 98224
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Lieblingsprodukt
| Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3 G Produktcode: 125682
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3G | Infineon | N-Ch 150V 30A Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3G | Infineon Technologies | Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-WDSON Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2 Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 28mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Power dissipation: 57W Drain-source voltage: 150V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB280N15NZ3GXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB5 | HellermannTyton | Description: STRT BOOT ELASTO ADHES Packaging: Retail Package | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSB75-48S05FLT | module | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSB881N03LX3GXUMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 261 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSB881N03LX3GXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB881N03LX3GXUMA1 - BSB881N03 - N-CHANNEL POWER MOSFET euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSBINJ8128 | Global Industrial | Description: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED Packaging: Box Color: Oyster White Material: Cardboard Width: 8" Height: 8" Part Status: Active Depth: 12" | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSBN2-103A | ALPS | 07+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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