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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDW47ND02FAIRCHILD
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW5E009FAIRCHILD
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6426FAIRCHILD
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6435FAIRCHILD
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6467FAIRCHILD
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6923ONSEMIDescription: ONSEMI - FDW6923 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.2mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
Wandlerpolarität: p-Kanal
euEccn: Unknown
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: Unknown
Produktpalette: PW Series
auf Bestellung 767042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6923onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6923Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
auf Bestellung 767042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
217+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6923FSC07+;
auf Bestellung 272500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6923_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6926FAIRCHILD
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6943FAIRCHILD
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6963FAIRCHILD
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW6966FAIRCHILD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW7750FAIRCHILD
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW8210FAIRCHILD
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW8800FAIRCHILD
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926AFAIRCHILDTSSOP-8
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926Aonsemi / FairchildMOSFETs 20V/10V Dual NCh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926A_NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 4518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926A_Qonsemi / FairchildMOSFETs 20V/10V Dual NCh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 28919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
790+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 790 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926NZFAIRCHILD07+ TSSOP-8
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 2.5V COMMON DRAIN NCH POWER TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDW9926NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 434 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9926NZ/9926NZFAIR
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDW9928EOFAIRCHILD
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS5360L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-Chnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS633ABB Installation ProductsJunction Boxes ALUMINUM DIE CAST BOX 1 X 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86068-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86068-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 214W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86068-F085onsemiMOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+6.2 EUR
100+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86068-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.15 EUR
10+5.38 EUR
100+3.81 EUR
500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86068-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085onsemiMOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+3.56 EUR
100+2.48 EUR
500+2.07 EUR
3000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.54 EUR
55+4.22 EUR
100+2.81 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 214W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.76 EUR
100+2.61 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86368-F085HonsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085ON Semiconductor
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; 107W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.75 EUR
100+2.06 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085onsemi / FairchildMOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+1.33 EUR
6000+1.27 EUR
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FDWS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
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FDWS86380-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET
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FDWS86380-F085ON Semiconductor
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FDWS86380-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; 75W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDWS86380-F085onsemi / FairchildMOSFETs MV7 N Channel Power Trench MosFET
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1000+0.92 EUR
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FDWS9408-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
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FDWS9408-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 20 V
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FDWS9420-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 20A, 5.8mO
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FDWS9420-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 75W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDWS9420-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDWS9420-F085 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+2.24 EUR
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FDWS9508L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDWS9508L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
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FDWS9508L-F085onsemiMOSFET PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM
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1+4.65 EUR
10+3.88 EUR
100+3.08 EUR
250+2.84 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.09 EUR
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FDWS9508L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDWS9508L_F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN
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FDWS9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDWS9509L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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FDWS9509L-F085onsemiMOSFETs PMOS PWR56 40V 8 MOHM
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1+4.57 EUR
10+2.93 EUR
100+2 EUR
500+1.69 EUR
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FDWS9509L-F085
Produktcode: 170673
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FDWS9509L-F085ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -65A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 107W
Application: automotive industry
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FDWS9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 65A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.33 EUR
87+1.95 EUR
89+1.82 EUR
115+1.36 EUR
250+1.27 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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FDWS9509L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDWS9510L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL PQFN56
Produkt ist nicht verfügbar
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FDWS9510L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL PQFN56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDWS9510L-F085ON SemiconductorMOSFET PT8P 40V LL PQFN56
auf Bestellung 8813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDWS9511L-F085ON SemiconductorMOSFET PT8P 40V LL PQFN56
Produkt ist nicht verfügbar
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FDWS9520L-F085onsemiDescription: PT8P 40V LL DUAL PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
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