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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GT30F125,LS1MATQ(JToshibaIGBT Transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30F126(LBS1LG,QMToshibaToshiba
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GT30F126,LS1CHAQ(MToshibaToshiba
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GT30G121TOSHIBA07+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GT30G124(LBS1SD2QMToshibaToshiba
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GT30G124(Q,M)ToshibaToshiba
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GT30G124(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
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GT30J121ToshibaIGBTs 3PN IGBT TRC2,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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GT30J121(Q)ToshibaIGBTs 600V/30A DIS
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.33 EUR
10+5.51 EUR
100+4.32 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J121(Q)TOSHIBACategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 430ns
Turn-on time: 240ns
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.39 EUR
19+4.71 EUR
23+3.77 EUR
27+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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GT30J121(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 170 W
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
10+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J121(Q)ToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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GT30J122Toshiba
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GT30J122
Produktcode: 57310
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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GT30J122TOS07+ SOP
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GT30J122(GREE,Q)ToshibaToshiba
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GT30J122(H,Q)ToshibaToshiba
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GT30J122(LBDAIKINQToshibaToshiba
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GT30J122(Q)ToshibaToshiba
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GT30J122(TEAL,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J122AToshibaToshiba
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GT30J122A(STA1,EToshibaIGBT Transistors
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GT30J122A(STA1,E,DToshibaToshiba LOW SATURATION VOLTAGE
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GT30J122A,Q(O)TOSHIBA
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GT30J126Toshiba
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GT30J127(LBS1LG,QMToshibaToshiba
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GT30J127(LBS1SD,QMToshibaToshiba
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GT30J127(Q,M)ToshibaToshiba
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GT30J127(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
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GT30J127,LS1CHAQ(MToshibaToshiba
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GT30J301ToshibaIGBT Transistors 3PN IGBT PP2,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
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GT30J301 (Q)ToshibaIGBT Transistors
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GT30J322
Produktcode: 178782
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Transistoren > MOSFET N-CH
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GT30J322ToshibaIGBTs 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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GT30J322
Produktcode: 51544
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Transistoren > MOSFET N-CH
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GT30J322 (Q)ToshibaIGBTs
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GT30J322(LBMBSS,Q)ToshibaToshiba
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GT30J322(LBMBSS1,QToshibaToshiba
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GT30J322(Q)ToshibaIGBTs IGBT, 600V, 30A
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GT30J322(S1MA,Q)ToshibaToshiba
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GT30J322(S1MATJ,Q)ToshibaToshiba
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GT30J322(TIGER,Q)ToshibaToshiba
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GT30J322(TRAHIHO,QToshibaToshiba
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GT30J324ToshibaIGBTs 3PN IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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GT30J324(LBYASK,Q)ToshibaToshiba
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GT30J324(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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GT30J324(Q)ToshibaIGBT Transistors X35 Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN MOQ=50 V=600 F=60HZ
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GT30J324(S1DNSO,Q)ToshibaToshiba
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GT30J324(S1DNSOA,QToshibaToshiba
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GT30J324(S1DNSOB,QToshibaToshiba
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GT30J324(S1DNSOC,QToshibaToshiba
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GT30J324(TOJS1,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J324(TOJS2,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J324(TOJS3,Q)ToshibaToshiba
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GT30J324(TOJS4,Q)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J324(TOJS5,Q)ToshibaToshiba
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GT30J324QToshibaIGBT Transistors
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GT30J341,QToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J341,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 600V 59A TO-3P
Power - Max: 230 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Part Status: Active
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Switching Energy: 800µJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 80ns/280ns
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J341,QToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J341,QToshibaIGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN MOQ=50 V=600 F=60HZ
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+5.49 EUR
50+5.32 EUR
100+4.57 EUR
200+4.41 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J341,STA1E(SToshibaTrans IGBT Chip N-CH 600V 59A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J341Q(OToshibaIGBTs
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GT30J65MRB,S1EToshibaIGBTs 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-3PN, IC=60A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J65MRB,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 650V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 75ns/400ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 200 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J65MRB,S1EToshibaTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Stick
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J65MRB,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.29 EUR
36+6.47 EUR
100+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30J65MRBS1E(SToshibaIGBTs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30N135SRA,S1EToshibaTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30N135SRA,S1EToshibaIGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
auf Bestellung 3306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+4.84 EUR
100+4.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30N135SRA,S1EToshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30N135SRA,S1E(STOSHIBADescription: TOSHIBA - GT30N135SRA,S1E(S - IGBT, 60 A, 2.15 V, 348 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.15V
Verlustleistung: 348W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30N135SRA,S1E(SToshibaIGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANS 1350V
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.62 EUR
50+4.38 EUR
100+4.13 EUR
250+3.92 EUR
500+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30N135SRAS1E(SToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30S-150-150-0.23-0t-Global TechnologyDescription: THERM PAD 150MMX150MM PINK
Part Status: Active
Backing, Carrier: Fiberglass
Adhesive: Tacky - Both Sides
Thermal Conductivity: 3.0W/m-K
Outline: 150.00mm x 150.00mm
Type: Sheet
Thickness: 0.0090" (0.229mm)
Shape: Square
Material: Silicone Elastomer
Color: Pink
Packaging: Bulk
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.85 EUR
10+22.87 EUR
25+21.79 EUR
50+21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30S-320-320-0.23-0t-Global TechnologyDescription: THERM PAD 320X320MM PINK
Packaging: Bulk
Color: Pink
Material: Silicone Elastomer
Shape: Square
Thickness: 0.0090" (0.229mm)
Type: Sheet
Outline: 320.00mm x 320.00mm
Thermal Conductivity: 3.0W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT30S-640-320-0.23-0t-Global TechnologyDescription: THERM PAD 640X320MM PINK
Packaging: Bulk
Color: Pink
Material: Silicone Elastomer
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0090" (0.229mm)
Type: Sheet
Outline: 640.00mm x 320.00mm
Thermal Conductivity: 3.0W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT310Knowles / Cornell Dubilier (CDE)Aluminium Electrolytic Capacitors - SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3113-03-ACONEXANTQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3113-03-CGLOBESPA..PLCC68
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT311303AGT
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT311303CGLOBESPAN
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3125-240Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.3125 DIA. X 24IN LG
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3125-80Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.3125 DIA. X 8IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.312" Dia x 8.000" L (7.93mm x 203.20mm)
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.24 EUR
5+33.53 EUR
10+32.05 EUR
25+30.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3132-01-AGTQFP
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3132-01-A-DBLUCENT
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3132-01-BD
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3132-01-CGLOBESPAPLCC68
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3132-D1-A
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT313201AE
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT316Cornell Dubilier - CDEAluminium Electrolytic Capacitors - SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT3180GLOBESPA
auf Bestellung 1350 Stücke:
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GT3180-01-AGLOBESPAN
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