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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.57 EUR
75+1.23 EUR
525+0.95 EUR
1050+0.69 EUR
2400+0.67 EUR
4800+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 128429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
795+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 795 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 48038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1198+0.55 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 153995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON
auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 80391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1198+0.55 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
100+2.34 EUR
213+1.01 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
191+0.9 EUR
195+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
184+0.93 EUR
187+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.96 EUR
186+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117G
Produktcode: 79758
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.68 EUR
10+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMPNP Darl. DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
7500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
17500+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 200...12000
Frequency: 25MHz
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.33 EUR
98+0.87 EUR
146+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
7500+0.35 EUR
12500+0.33 EUR
17500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
auf Bestellung 5429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4 PBF
Produktcode: 21024
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
Bemerkung: Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
164+1.42 EUR
251+0.86 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 6054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.42 EUR
100+0.99 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GOn SemiconductorMJD117T4G MJD117G PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=2A (4 имп.), h21=200...12000, 20Вт, DPAK (SMD) (компл.MJD112) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
164+1.42 EUR
251+0.86 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD117T4GMJD117T4G Диоды
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117T4G*********
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
auf Bestellung 18518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
916+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 916 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
916+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 916 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Frequency - Transition: 25MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
17500+0.29 EUR
25000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122LGETranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GOODWORKDescription: 100V 8A 1.75W TO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 23955
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 TO252 SMD
Produktcode: 181912
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.33 EUR
355+0.24 EUR
395+0.21 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
auf Bestellung 4923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.21 EUR
75+1.08 EUR
525+0.9 EUR
2550+0.83 EUR
5025+0.68 EUR
10050+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 20W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...12000
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
75+1.21 EUR
150+1.08 EUR
525+0.89 EUR
1050+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
128+1.82 EUR
181+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
7500+0.52 EUR
12500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMCC Corp.NPN 100V 8A DPAK(TO-252-3) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122/127
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.95 EUR
50+1.71 EUR
68+1.27 EUR
80+1.07 EUR
90+0.95 EUR
96+0.89 EUR
150+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.83 EUR
252+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122G
Produktcode: 165785
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK Транзистори
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
130+1.8 EUR
154+1.39 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 17126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.54 EUR
75+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.61 EUR
211+0.81 EUR
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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150+1.19 EUR
300+0.89 EUR
1050+0.84 EUR
2550+0.8 EUR
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 1324 Stücke:
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8+2.92 EUR
75+1.29 EUR
150+1.15 EUR
525+0.96 EUR
1050+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD122RLG
auf Bestellung 25000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
auf Bestellung 1785 Stücke:
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2+2.18 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
1800+0.54 EUR
3600+0.48 EUR
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MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
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