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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
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 Mindestbestellmenge: 390 Stücke
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NVMFD5489NLWFT3GON Semiconductor
auf Bestellung 5000 Stücke:
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NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5852NLT1GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
auf Bestellung 3122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
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NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1105 Stücke:
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NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5853NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
auf Bestellung 443 Stücke:
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NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
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NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFD5853NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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NVMFD5853NWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1G-UMonsemiMOSFETs NFET DFN8 60V 58A 13MOHM
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+3.8 EUR
100+2.64 EUR
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NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT1GonsemiMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1G-UMonsemiMOSFETs NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+1.8 EUR
100+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.62 EUR
100+4.11 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
10+7.08 EUR
50+5.56 EUR
100+5.07 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
37+6.35 EUR
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.72 EUR
500+5.62 EUR
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GONN
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 2178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.14 EUR
10+6.12 EUR
100+5.59 EUR
500+5.26 EUR
1000+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
33+7.15 EUR
100+5.72 EUR
500+5.62 EUR
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
10+7.47 EUR
100+5.38 EUR
500+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.54 EUR
34+6.94 EUR
100+5.19 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GonsemiMOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.6 EUR
10+5.4 EUR
100+4.32 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.81 EUR
1500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.19 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.6 EUR
100+4.71 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.68 EUR
100+4.03 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.75 EUR
100+2.95 EUR
250+2.93 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GONN
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 10760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.06 EUR
10+3.97 EUR
100+3.28 EUR
500+3 EUR
1000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 3318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GONN
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
auf Bestellung 508500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GonsemiMOSFETs 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.66 EUR
10+4.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.48 EUR
1500+2.31 EUR
9000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GONN
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
auf Bestellung 509400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorDescription: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
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NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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NVMFD5C466NLonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
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NVMFD5C466NLET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
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NVMFD5C466NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
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1000+0.89 EUR
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NVMFD5C466NLET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NVMFD5C466NLET1GonsemiDescription: DUAL N CHANNEL POWER MOSFET 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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12+1.87 EUR
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