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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
auf Bestellung 3122 Stücke:
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NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
auf Bestellung 1194 Stücke:
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NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
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NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
auf Bestellung 1105 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5853NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1410 Stücke:
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NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NVMFD5853NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
auf Bestellung 443 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5853NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NVMFD5873NLT1GON Semiconductor
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT1GonsemiMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NVMFD5877NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1GonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5877NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.47 EUR
10+6.3 EUR
100+4.5 EUR
500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
37+6.35 EUR
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.62 EUR
100+4.11 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
33+7.15 EUR
100+5.72 EUR
500+5.62 EUR
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
10+7.47 EUR
100+5.38 EUR
500+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.77 EUR
10+5.76 EUR
100+5.01 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.19 EUR
1500+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.00265 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00265ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.72 EUR
500+5.62 EUR
1000+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLWFT1GONN
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.19 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.6 EUR
100+4.71 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GonsemiMOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.6 EUR
10+5.4 EUR
100+4.32 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.81 EUR
1500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.54 EUR
34+6.94 EUR
100+5.19 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.68 EUR
100+4.03 EUR
500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.75 EUR
100+2.95 EUR
250+2.93 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 10760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLT1GONN
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GONN
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.06 EUR
10+3.97 EUR
100+3.28 EUR
500+3 EUR
1000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 3318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GONN
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 3139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
auf Bestellung 509400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.47 EUR
10+4.21 EUR
100+2.93 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A 8DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
auf Bestellung 508500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NT1GonsemiMOSFETs 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.53 EUR
100+2.56 EUR
500+2.34 EUR
1000+2 EUR
1500+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorDescription: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C466NLonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
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NVMFD5C466NLET1GonsemiDescription: DUAL N CHANNEL POWER MOSFET 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.82 EUR
5000+0.75 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NVMFD5C466NLET1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 1436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVMFD5C466NLET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.77 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5C466NLET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.77 EUR
3000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 27325 Stücke:
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1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.71 EUR
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NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.72 EUR
57+2.95 EUR
100+1.95 EUR
500+1.52 EUR
1500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 768 Stücke:
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5+4.9 EUR
10+3.18 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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