Produkte > R60
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V | auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6002JND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 6.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm | auf Bestellung 3950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6002PC | Brady Corporation | Description: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003 | Brady Corporation | Description: R6003 HALOGEN FREE, 1.57" X 500' Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | auf Bestellung 1042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1COR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1PR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-1SR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2COR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2PR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2SR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-2SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3COR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3PR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R60030-3SR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V | auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6003JND4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover | auf Bestellung 7443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6003JND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.15ohm | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6003KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 85 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6003KND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6003KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.3 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 7.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6003KND4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch | auf Bestellung 7142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6003KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | auf Bestellung 3448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004 | Brady Corporation | Description: R6004 HALOGEN FREE, 5.12" X 984' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Printers Accessory Type: Ribbon Specifications: Black | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT | auf Bestellung 4226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004CNDTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT | auf Bestellung 4226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise | auf Bestellung 4124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004END3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 59W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.36Ω | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 59 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004END4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004END4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004END4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | auf Bestellung 2396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004END4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise | auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENDTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 58 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | auf Bestellung 2521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 2377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENDTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 1699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: CPT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 58 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENX | ROHM | Description: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.98 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENX | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET | auf Bestellung 3803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| R6004JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252 | auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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