Produkte > RJK

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK0305DPB-02#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305DPB-02#J0California Eastern LaboratoriesPOWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305DPB-02#J0RenesasMOSFET N-CH 30V 30A LFPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305DPB-WS#J0Renesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305DPB-WS#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305DPC
auf Bestellung 20569 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305DPC-00-JO
auf Bestellung 3281 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0305PB-00-JO
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0316DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0316DPA-WS#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0316DSPRENESAS09+
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0316DSP-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0316DSP-00-J0
auf Bestellung 1032 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0317DSP-00-J0
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0318JPB-01-JORENESAS
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0319JPB-01-JORENESAS
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0320DQM
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0320DQM-00#H1Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPBRenesas ElectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB
auf Bestellung 10479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-00#J0RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 11590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-00#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
auf Bestellung 11589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
204+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-00-J0
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-01
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-01#J0Renesas ElectronicsMOSFETs PowerMOSFET
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.99 EUR
25+4.82 EUR
100+3.67 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-01#J0Renesassc100-5/POWER MOSFETS FOR GENERALSWITCHING RJK0328
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0328DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+4.53 EUR
100+3.3 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK03290PB
auf Bestellung 2039 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0329DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0329DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0329DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0329DPB-00-J0
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0329DPB-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330 pF @ 10 V
auf Bestellung 19257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
285+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-00#JORenesas10
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0330DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 45 A, 2700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-01#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK PbFr HF
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.94 EUR
10+4.11 EUR
100+3.27 EUR
250+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-01#J0RenesasSILICON N CHANNEL POWER MOSFET POWER SWITCHING RJK0330DPB
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-W1#J0Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0330DPB-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0331DPBRenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0331DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0331DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0331DPB-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0331DPB-00-J0
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0331DPB-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB-01#J0Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET 30V LFPAK Pb-F HF
auf Bestellung 2966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+3.01 EUR
100+2.39 EUR
250+2.23 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB-01#J0RENESASDescription: RENESAS - RJK0332DPB-01#J0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 4700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
69+3.37 EUR
100+2.2 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0332DPB-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPARENESAS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-00-J0RENESASWPAK 08+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-00-JO
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-01#J0BRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.78 EUR
10+4.2 EUR
100+2.93 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-01#J0BRenesas ElectronicsMOSFET JET MOSFET 30V WPAK Pb/Halogen Free
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.76 EUR
100+3.83 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.59 EUR
2500+2.4 EUR
5000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-01#J0BRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
111+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0346DPA00J0RENESAS
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPARENESAS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
auf Bestellung 635000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA-00-J0
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA-01#J0Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA-01#J0BRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA-01#J0BRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA-01#J0BRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 2WPACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DPA00J0RENESAS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DSPRENESAS
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DSP-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0348DSPOOJORENESAS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPARENESAS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-00#J0
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-00#J0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-00-J0
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-01#J0BRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 112500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
246+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
391+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 391 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DPA00J0RENESAS
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSPRENESAS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-00#J0Renesas ElectronicsMOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-00#J0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-01#J0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+3.26 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-01#J0Renesas ElectronicsMOSFET Nchannel Low Voltage MOSFET, HF version
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP-WS#J0Renesas Electronics America IncDescription: IGBT
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0349DSP00J0RENESAS
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0350DPA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK0351DPARenesas ElectronicsArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  Nächste Seite >> ]