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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIB-129-02-F-S-LCSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100 One-Piece Interface
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB-130-02-F-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" One-Piece Interface
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB-130-02-F-S-LCSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" One-Piece Interface
auf Bestellung 56 Stücke:
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1+28.52 EUR
7+25.93 EUR
105+21.52 EUR
252+19.1 EUR
504+18.52 EUR
1001+17.26 EUR
2506+17.06 EUR
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SIB1044D
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIB16080017
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIB404DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB404DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 3709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIB404DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 11831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB408DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
auf Bestellung 8351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB408DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB408DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
auf Bestellung 8351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB408DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB410DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB410DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIB410DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
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SIB411DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB411DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB411DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4122DK-T1-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.86 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB412DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB412DK-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
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SIB412DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SIB413DK-T1-E3
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB413DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB413DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB414DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB414DK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIB404DK-T1-GE3
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SIB414DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
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SIB414DK-T1-GE3
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIB415DK-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIB415DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
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SIB415DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB415DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
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SIB417AEDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 1.2V P-Channel
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
auf Bestellung 8403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
auf Bestellung 8403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417EDK-T1-GE3
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIB417EDK-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 13W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±5V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Pulsed drain current: -15A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417EDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB419DK-T1-E3
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIB419DK-T1-GE3
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB419DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB419DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB419DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 13W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB422EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.03 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
257+0.65 EUR
259+0.62 EUR
347+0.45 EUR
351+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 5252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB422EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.03 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
auf Bestellung 7389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
26+0.81 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
269+0.87 EUR
404+0.54 EUR
513+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 8304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A
auf Bestellung 28172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4316EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.047 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
296+0.79 EUR
393+0.55 EUR
513+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4316EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4317EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4317EDK-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC75 P-CH 30V 4.3A
auf Bestellung 26164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4317EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 10W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 14989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.4 EUR
274+0.84 EUR
422+0.51 EUR
556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4317EDK-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-75 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4317EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
29+0.73 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB4317EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB4317EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.065 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 14989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.4 EUR
274+0.84 EUR
422+0.51 EUR
556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB433EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB433EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 11870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.89 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB433EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB437EDKT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB437EDKT-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB437EDKT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+1.17 EUR
254+0.92 EUR
409+0.52 EUR
524+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V
auf Bestellung 11928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+1.17 EUR
254+0.92 EUR
409+0.52 EUR
524+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 5894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB452DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 1.5 A, 1.8 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 15400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB452DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 1.5 A, 1.8 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB455EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB455EDK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB456DK-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
auf Bestellung 7503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.76 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB456DK-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
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SIB456DK-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIB456DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.3 A, 0.153 ohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 13
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.153
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: To Be Advised
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