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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STU2NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
75+1.71 EUR
150+1.55 EUR
525+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU2NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 70W; -55°C ~ 150°C; STU2NK100Z TSTU2NK100Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU302SSAMHOPTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3030NTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3030NLSAMHOP07+ TO252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3030NLS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3030PL???TO252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU303STO-252
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3055L
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3055L2???TO252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3055LS
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3055LZ
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3055NL???TO252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU306S
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU309D
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU312D
auf Bestellung 16418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU314D
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU32160
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU32864PHILIPS
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU32866PHIna
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3525NL
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3535BL
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU36NB20STMicroelectronicsSTMicroelectronics POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3LN62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
75+0.9 EUR
150+0.87 EUR
525+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 3348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+1.5 EUR
100+1.34 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
6000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N45K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N45K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+1.77 EUR
100+1.62 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N65M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.34 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.99 EUR
6000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
auf Bestellung 2731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+1.62 EUR
100+1.55 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU40100CT-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE ARR SCHOT 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU40100CT-BPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers 40A SCHOTTKY RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4030NL???TO252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU404D
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU405DH
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU407D
Produktcode: 45750
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU407DH
auf Bestellung 1724 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU408D
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU40N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU411D
auf Bestellung 17151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU417S
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU418S
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU418S
Produktcode: 124527
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU419S
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU421STO-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU426S
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU428S
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU434S
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU438S
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4530NLS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4J128
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N52K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH3™
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
108+0.8 EUR
127+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.48 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.02 EUR
6000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N52K3STTransistor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STU4N52K3 TSTU4N52K3
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V
auf Bestellung 2513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
11+2 EUR
100+1.56 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 3.8A; 70W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
auf Bestellung 2891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.28 EUR
100+1.8 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 3A Zener-protected
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
3000+1.43 EUR
6000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
76+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5025NLS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5715STSOP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5726ASTSOP
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5744ASTSOP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STU5N52K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH 3
Produkt ist nicht verfügbar
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STU5N52K3STMicroelectronics
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STU5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU5N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
10+2.57 EUR
100+2.01 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.51 EUR
100+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.04 EUR
3000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N62K3STMicroelectronics
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STU5N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.28 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.52 EUR
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STU5N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 50 V
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.61 EUR
75+2.23 EUR
150+1.95 EUR
525+1.71 EUR
1050+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STU5N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STU5N65M6STMicroelectronicsIsolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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STU5N70M6-SSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 700 V, 1.2 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU5N70M6-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU5N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.89 EUR
3000+1.67 EUR
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STU5N80K5STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K3STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 20480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.28 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.63 EUR
10000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 2 Ohm typ 3.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 3.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU5NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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STU5NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6010EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.1V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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