Produkte > TPH

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.62 EUR
100+2.5 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH,L1QToshibaMOSFETs TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 11400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.82 EUR
5000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.98 EUR
95+1.78 EUR
96+1.69 EUR
99+1.57 EUR
105+1.43 EUR
250+1.33 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
96+1.8 EUR
99+1.7 EUR
105+1.57 EUR
250+1.51 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH1,LQToshibaMOSFET 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.22 EUR
75+3.11 EUR
111+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1500CNH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 74 A, 0.013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
111+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1500CNHLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH160816ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 16-08-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PLToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.51 EUR
68+2.4 EUR
100+2.31 EUR
250+2.2 EUR
500+2.09 EUR
1000+2 EUR
3000+1.99 EUR
6000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.57 EUR
68+2.5 EUR
100+2.44 EUR
250+2.38 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.27 EUR
3000+2.26 EUR
6000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
2500+1.86 EUR
5000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.05 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 6247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.88 EUR
99+1.75 EUR
113+1.49 EUR
200+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
49+4.81 EUR
100+3.21 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
100+2.18 EUR
250+2.05 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R005PLLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R104PBToshibaMOSFETs SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R104PB,L1HLQ(OToshiba SOP-ADV 40V 120A N-CH MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R104PB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 5408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+3.19 EUR
25+3.12 EUR
100+2.28 EUR
250+2.26 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
auf Bestellung 5098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R104PBL1Q(OToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PBToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 5308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.34 EUR
100+1.61 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
103+1.63 EUR
104+1.56 EUR
139+1.13 EUR
250+1.07 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
104+1.65 EUR
139+1.21 EUR
250+1.18 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
auf Bestellung 1621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
102+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
auf Bestellung 1671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
63+3.69 EUR
102+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PBL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PLToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 10071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.19 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1Q(M
Produktcode: 176221
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 246A; 132W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 246A
Power dissipation: 132W
On-state resistance: 1.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaTPH1R204PL,LQ(M1
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
94+1.8 EUR
105+1.55 EUR
117+1.33 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaTPH1R204PL,LQ(M1
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
94+1.84 EUR
105+1.61 EUR
117+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ
Produktcode: 210299
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQToshibaUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 3586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.43 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
70+2.48 EUR
84+2.01 EUR
110+1.5 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
70+2.42 EUR
84+1.94 EUR
110+1.43 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 170W
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1240 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1240 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1240µohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1LQ(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PL1LQ(MWToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PLL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R204PLLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1QToshibaMOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 17156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.97 EUR
10+3.88 EUR
100+2.84 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.2 EUR
2500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
10+4.09 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
65+2.65 EUR
100+2.09 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
56+4.18 EUR
100+2.68 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.27 EUR
61+2.86 EUR
74+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306P1L1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PLToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
10+3.84 EUR
100+2.65 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQToshibaUMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 4584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.69 EUR
100+2.56 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaTPH1R306PL1,LQ(M
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
63+2.76 EUR
100+2.18 EUR
500+2 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.5 EUR
52+4.55 EUR
100+2.92 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Nächste Seite >> ]