Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC090N03LS | INF | 09+ | auf Bestellung 4005 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 7257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC090N03LSG | infineon | 08+ | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03LSG | Infineon Technologies | Description: BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 4194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 4995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | auf Bestellung 4999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 3143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03MSG | infineon | 08+ | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC090N03MSGXT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC090N03MSGXT | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 3649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0910NDI | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDI | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 3430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 10182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 9990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 9990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0910NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911ND | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911ND | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8 | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0911ND | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8 | auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 151518 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 61594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC091N03MSCG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC091N03MSCGATMA1 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 39335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC091N03MSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC091N03MSCGATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC091N03MSCGATMA1 - BSC091N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC091N03MSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC091N03MSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 9335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | auf Bestellung 3953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active | auf Bestellung 6502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 54929 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 1909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0921NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0923NDI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | auf Bestellung 4553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0923NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0923NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0923NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 4995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0924NDI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | auf Bestellung 4158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0924NDI | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 4991 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 2454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 71671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 4981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0924NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TISON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |