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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+7.74 EUR
150+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 118nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.95 EUR
11+8.04 EUR
14+6.52 EUR
25+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTTTexas InstrumentsMOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.14 EUR
10+7.63 EUR
100+6.64 EUR
1000+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KTTT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTTTexas InstrumentsN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 200 А, Ptot, Вт = 375, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 50, Qg, нКл = 153 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.36 EUR
10+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T
auf Bestellung 14685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
auf Bestellung 71259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
50+1.64 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
7500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.69 EUR
50+2.03 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19537Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0145 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3
auf Bestellung 4133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.57 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.59 EUR
750+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Dimensions: 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
On-state resistance: 12.1mΩ
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.7 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
auf Bestellung 58065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
50+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2RTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2RTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2RTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET si
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2RTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2
auf Bestellung 7424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+1.71 EUR
100+1.33 EUR
500+1.14 EUR
2500+1.05 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
50+1.74 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.8 EUR
125+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+1.36 EUR
750+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.1 A, 0.049 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 72mOhm; 15A; 23W; -55°C ~ 150°C; CSD19538Q3AT CSD19538Q3A TCSD19538q3a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3A
Produktcode: 165390
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A VSONP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 23
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NexFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3ATTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19538Q3AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.049 ohm, SON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 23
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR FEMTOFET
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FemtoFET
Supplied Contents: Board(s)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+190.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsCSD13380F3/CSD13383F4/CSD13385F5/CSD15380F3/CSD17381F4/CSD17585F5/CSD18541F5 MOSFET Evaluation Board
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FNCHEVM-889Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools N-CH FEMTOFETS EVM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+204.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools P-CH FEMTOFETS EVM
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+184.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+71.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsDescription: P-CHAN FEMTOFET MOSFET TEST EVM
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FemtoFET
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+183.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD1FPCHEVM-890Texas InstrumentsCSD23280F3/CSD23285F5/CSD23382F4/CSD25480F3/CSD25481F4/CSD25485F5 MOSFET Evaluation Board
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+71.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2-6832FL/39-25-5BJKL Components Corp.Description: LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2-7152FL/39-25-5BJKL Components Corp.Description: LAMP INCANDESCENT 3MM T-1 SMD 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2-L-US2-A-A-C5-S-S-EellenexDescription: INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
Part Status: Active
Sensor Type: Salinity, Power Conductivity
Output Type: LoRaWAN
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2-L-US2-A-B-C5-S-S-EellenexDescription: INDUSTRIAL LORAWAN OPERATED LOW
Packaging: Box
Output Type: LoRaWAN
Sensor Type: Salinity, Power Conductivity
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2000B-MFantom DrivesDescription: SSD 2TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 2TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+584.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD2000B-WFantom DrivesDescription: SSD 2TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 2TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+584.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20030DWolfspeed, Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 300V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20060DWolfspeed, Inc.Description: DIODE ARR SIC 600V 16.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16.5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20060DCREESiC ZeroRecovey 20A, 600V, TO-247-3 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20120DCREEVrrm=1200V, Ifrm=30A, Ifsm=100A, TO-247 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20128PentairCSD20128
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+945.07 EUR
2+923.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD201610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 10.000" (254.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+963.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD201610PentairSteel Wall Mount Enclosure
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1028.11 EUR
2+1004.75 EUR
3+949.58 EUR
5+912.99 EUR
10+893.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Part Status: Active
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+865.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+857.32 EUR
5+818.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NATURAL 20"L X 15.98"W
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Natural
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3163.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD202010Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 10.000" (254.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+957.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD202010WHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT ENCL. WINDOW
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 0.063" (1.60mm)
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Enclosure
Material Flammability Rating: UL 508A
Area (L x W): 442in² (2850cm²)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD202012Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 12.008" (305.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1050.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20206Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 5.984" (152.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+895.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20208NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD20208 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
tariffCode: 85381000
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 20"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 508mm
Außentiefe - imperial: 8"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 508mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 0
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1838.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 18 Gauge
Material: Metal, Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Gray
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+986.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20208SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STL NATURAL 20"L X 20"W
Part Status: Active
Area (L x W): 400in² (2581cm²)
Container Type: Box
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Design: Hinged Door, Lid
Height: 7.992" (203.00mm)
Thickness: 16 Gauge
Material: Metal, Stainless Steel
Size / Dimension: 20.000" L x 20.000" W (508.00mm x 508.00mm)
Color: Natural
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3270.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD202410LGHoffman Enclosures, Inc.Description: WALL-MOUNT TYPE 4 12 ENCLOSURE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD202410LGPentairCSD202410LG
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1075.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD20248Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 24.02"L X 20"W
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 24.016" L x 20.000" W (610.00mm x 508.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 480in² (3097cm²)
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1004.1 EUR
5+977.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22202W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
9000+0.44 EUR
15000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22202W15Texas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 4 V
auf Bestellung 52180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22202W15Texas InstrumentsMOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET
auf Bestellung 7901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22204WTexas InstrumentsDescription: MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 9-DSBGA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 4 V
auf Bestellung 6769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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