Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMP3036SFVQ-7 | Diodes Zetex | DMP3036SFVQ-7 | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3036SFVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SFVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI333 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3036SSD | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3036SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3036SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSD-13 | Diodes | MOSFET 2P-CH 30V 10.6A 8-SO Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 29mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3036SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSS-13 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A Automotive 8-Pin SO T/R DMP3036SSS-13 TDMP3036SSS-13 Diodes Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | auf Bestellung 1643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss | auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3036SSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3037LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3037LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 931pF 19.3nC | auf Bestellung 21442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3037LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 15 V | auf Bestellung 2029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3037LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3037LSS-13 | Diodes | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A Automotive 8-Pin SO T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3037LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3037LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3037LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3037LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3037LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3037LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3037LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3037LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3037LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3045LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 749 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 4128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3045LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3045LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3048LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -35A; 1.7W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -35A Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.8A Gate charge: 29.6nC On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3048LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3050LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3050LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V | auf Bestellung 1638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3050LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3050LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-CH MOSFET | auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3050LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 Produktcode: 177486
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| Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 774000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V | auf Bestellung 11083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3050LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.036 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26 Mounting: SMD Case: TSOT26 Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -25A Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-CH MOSFET | auf Bestellung 3920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3050LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3050LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -20A; 1.38W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.38W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,3 А, Ptot, Вт = 1,38, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 25, Qg, нКл = 11,8 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A | auf Bestellung 49674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | DIODES/ZETEX | P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 1.38W DMP3056L-7 Diodes TDMP3056l Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 141255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | Diodes | Trans MOSFET Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056L-7 - MOSFET, P-KANAL, -30V, -4.3A, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.38W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 1.38W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.38W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V | auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LDM | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.25mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LDM - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.25mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056LDM Produktcode: 105511
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Lieblingsprodukt
| Diodes | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-26 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 4,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 45 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 948/ Montage: SMD | auf Bestellung: 4 St.
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| DMP3056LDM-7 | Diodes | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 8650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel 1.25W | auf Bestellung 14636 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.3A; Idm: -13A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.3A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 8650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V | auf Bestellung 67825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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