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MOSFETs N-CHANNEL 75/80V

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1+	7.69 EUR
10+	5.05 EUR
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500+	3.28 EUR
1000+	2.76 EUR
2000+	2.75 EUR

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IPB160N08S4-03ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB160N08S403ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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IPB160N08S403ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

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IPB16CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB16CN10NG

infineon

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB16CNE8N G

INF

TO-263

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB16CNE8NG

infineon

07+ to-263/d2-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB175N20NM6

IFX FET >150 - 400V

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IPB175N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.77 EUR
500+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.79 EUR
10+	5.11 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.87 EUR

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IPB175N20NM6ATMA1

Infineon

N-Channel 200 V 9.7A (Ta), 61A (Tc) 3.8W (Ta), 203W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-U01 Транзистори

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IPB175N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.42 EUR
16000+	3.09 EUR
24000+	2.83 EUR
32000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 203W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	11.32 EUR
34+	6.87 EUR
100+	4.77 EUR
500+	4.01 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.91 EUR
10+	5.2 EUR
50+	4.03 EUR
100+	3.65 EUR
500+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB17N25S3-100

MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2

auf Bestellung 634 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.06 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	1.98 EUR
2000+	1.96 EUR

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IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	3.78 EUR
100+	2.52 EUR
500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

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IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB17N25S3100ATMA1

Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

auf Bestellung 976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.82 EUR
57+	4.11 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 56638 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.39 EUR
10+	4.15 EUR
50+	3.19 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.53 EUR
58+	2.87 EUR
100+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	4.94 EUR
51+	3.36 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

auf Bestellung 976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.76 EUR
500+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 56000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.15 EUR
3000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.53 EUR
58+	2.76 EUR
100+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.53 EUR
60+	2.83 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2

auf Bestellung 1181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.93 EUR
10+	3.86 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.98 EUR
2000+	1.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-01

MOSFETs N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.51 EUR
10+	6.24 EUR
100+	4.65 EUR
500+	4.06 EUR
1000+	3.42 EUR
2000+	3.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-01

Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-H0

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-H0

Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.52 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPB180N03S4LH0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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IPB180N03S4LH0ATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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IPB180N03S4LH0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR
1000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

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IPB180N04S3-02

INF

09+

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB180N04S3-02

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR
1000+	4.5 EUR
10000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

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IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR
1000+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

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IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

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IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.2 EUR
500+	4.87 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

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IPB180N04S302ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V

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IPB180N04S302ATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPB180N04S302ATMA1 - IPB180N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	6.38 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

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IPB180N04S4-00

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.72 EUR
10+	6.37 EUR
100+	4.76 EUR
500+	3.97 EUR
1000+	3.67 EUR
2000+	3.44 EUR
5000+	3.14 EUR

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IPB180N04S4-01

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 9386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.02 EUR
10+	3.56 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.34 EUR
2000+	2.28 EUR
5000+	2.24 EUR

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IPB180N04S4-H0

Infineon

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB180N04S4-H0

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8 EUR
10+	5.24 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.76 EUR
2000+	2.7 EUR
5000+	2.57 EUR

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 2196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.01 EUR
10+	4.66 EUR
100+	4.24 EUR
500+	3.69 EUR
1000+	3.47 EUR

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IPB180N04S400ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR
500+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.15 EUR
10+	6.06 EUR
50+	4.72 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5642 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	3.59 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.14 EUR
10+	4.68 EUR
50+	3.61 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 1123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.49 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 176nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: TO263-7

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2376 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	2.58 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 1123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
45+	5.18 EUR
100+	3.49 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	6.12 EUR
42+	4.03 EUR
53+	3.05 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	6.12 EUR
42+	4.12 EUR
53+	3.15 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.94 EUR
10+	5.21 EUR
50+	4.05 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 10333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.83 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

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1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 621 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.96 EUR
500+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	6.44 EUR
41+	4.08 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 10333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	9.32 EUR
44+	5.36 EUR
100+	3.83 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.96 EUR
500+	2.77 EUR
1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 173nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7

auf Bestellung 910 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	4.43 EUR
23+	3.76 EUR
25+	3.42 EUR
29+	2.98 EUR
50+	2.69 EUR
100+	2.4 EUR
250+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.72 EUR
10+	3.97 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	2.75 EUR
2000+	2.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

27+	6.44 EUR
41+	4.16 EUR
100+	3.22 EUR
500+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 27 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	4.27 EUR
500+	3.99 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	4.27 EUR
500+	3.99 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4L01ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 245nC
Technology: MOSFET
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -16...20V
Case: TO263-7

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4L01ATMA1