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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI1869DH-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1869DH-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.132 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.132ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.132ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Rds On (Typ): 132mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-E3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.83 EUR
283+0.6 EUR
286+0.57 EUR
361+0.44 EUR
376+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Rds On (Typ): 132mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 1.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.81 EUR
250+0.68 EUR
252+0.65 EUR
326+0.49 EUR
329+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.7 EUR
326+0.54 EUR
329+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 3380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
31+0.69 EUR
35+0.62 EUR
100+0.54 EUR
250+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-363
auf Bestellung 72013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.62 EUR
100+0.5 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1869DH-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.303Ohm 6-Pin SC-70
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI18752
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI19002CSUSITSSOP
auf Bestellung 2569 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DLSILICONIX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1VISHAY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI19
auf Bestellung 26992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.73 EUR
100+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-E3VISHAYSOT363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.13 EUR
23+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1900DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-6
auf Bestellung 8534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1901DL-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902VISHAY
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI19021CTUSILICON
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si19021CTU-7
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI19023CTU
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
32+0.67 EUR
100+0.38 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.1A, SC-70
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 20V
auf Bestellung 41019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6
auf Bestellung 30340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.49 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 21508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
183+0.46 EUR
203+0.42 EUR
288+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
21000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DLVISHAY
auf Bestellung 21200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DLVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1VISHAY
auf Bestellung 36200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1902DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 0.66A, SC-70
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 660mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.32ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 N CHAN 20V
auf Bestellung 38360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+0.8 EUR
100+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.33 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
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SI1902DL-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
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SI1902DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 17750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
9000+0.32 EUR
15000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Транзистори
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SI1902DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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SI1902DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SI1902DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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SI1902DL-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A; 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI1902DL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 0.70A
auf Bestellung 286778 Stücke:
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4+0.99 EUR
10+0.57 EUR
100+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902DL-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.66A; Idm: 1A
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.8nC
On-state resistance: 0.63Ω
Power dissipation: 0.27W
Drain current: 0.66A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V .66A .27W
auf Bestellung 76473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.88 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI1902DL-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1902DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
auf Bestellung 13403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SI1902DL-TI-E3VISHAY09+
auf Bestellung 2408 Stücke:
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SI19030CTUSILICOMQFP 0552+
auf Bestellung 15 Stücke:
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SI1903DL
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1903DL-T1VISHAYSOT363
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
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SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1903DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
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SI1903DL-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1903DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produkt ist nicht verfügbar
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SI1904EDC-T1VISHAY03+ SOT
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1904EDH
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1904EDH-T1SI0201+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1904EDH-T1-E3
auf Bestellung 123800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1905BDH
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1905BDH-T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1905BDH-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542mOhm @ 580mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 357mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905BDH-T1-GE3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905BDH-TI-E3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905CL-T1VISHAY
auf Bestellung 16679 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DLVISHAY
auf Bestellung 55900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI1905DL-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DL-T1VISHAYSOT-363
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DL-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1905DL-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1906DLSILICONIXSOT-363
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1906DL-T1VISHAY0449+
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1906DL-T1-E3
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1906DL-TI
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1907DLSI02+ SOT-323-6
auf Bestellung 66999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1907DL-T1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1907DL-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1907DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 530MA SC70
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1912EDHSI02+ SOT-323
auf Bestellung 138999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1912EDH-T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1912EDH-T1VISHAYSOT-363
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1912EDH-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 6608 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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