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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP20NM60FPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 192, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 25, Qg, нКл = 54 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTN-MOSFET 20A 600V 45W STP20NM60FP TSTP20NM60FP
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4 EUR
50+3.86 EUR
100+3.59 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.32 EUR
10+7.98 EUR
100+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.07 EUR
14+6.1 EUR
50+4.83 EUR
100+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+18.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM60FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.84 EUR
25+9.38 EUR
100+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM65N
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20S100
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP20S100CT
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210F
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210MWF
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210N75F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210N75F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210N75F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210N75F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP210NF02
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP212252EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Yellow
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP212252AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP212252BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2150A
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N05L
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N06L
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N06LF1
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 10.7A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V MDMesh M5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.82 EUR
11+7.76 EUR
13+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.2 EUR
10+7.66 EUR
100+7.02 EUR
500+5.9 EUR
1000+5.89 EUR
2000+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP21N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 18.5 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.31 EUR
15+15.73 EUR
16+13.47 EUR
50+9.91 EUR
100+9.08 EUR
250+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.26 EUR
50+7.15 EUR
100+6.56 EUR
500+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A STP21N90K5 TSTP21N90K5
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+16.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21N90K5
Produktcode: 89432
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM50ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 17A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP21NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22
Produktcode: 130515
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP22SAMSUMBGA
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2200ABGA
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2200BGASUN
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2202ABGASUNO1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2202ABGHBGA
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2202BGA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.11 EUR
2000+3.02 EUR
3000+2.93 EUR
4000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.11 EUR
2000+2.95 EUR
3000+2.82 EUR
4000+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+2.15 EUR
100+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP220N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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STP228267AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
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STP228267BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
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STP22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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67+2.59 EUR
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STP22N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STP22N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
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STP22N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
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STP22N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9.5A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP22N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP22N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 196 mOhm typ 15 A MDmesh M6 Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP22NE03
auf Bestellung 98000 Stücke:
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STP22NE10L
Produktcode: 116776
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP22NE10LSTTO-220
auf Bestellung 401 Stücke:
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STP22NE10LSTMicroelectronicsMOSFETs
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STP22NF03LSTN-MOSFET 22A 30V 45W STP22NF03L TSTP22NF03L
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STP22NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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STP22NM50
auf Bestellung 10000 Stücke:
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STP22NM50FP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP22NM60
auf Bestellung 10000 Stücke:
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STP22NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
auf Bestellung 587 Stücke:
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10+5.07 EUR
100+4.61 EUR
500+3.8 EUR
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