Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFS4310 | ir | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS4310HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310PBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310PBF | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 22100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC | auf Bestellung 4525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310Z Produktcode: 99516
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6860/120 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4310Z | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310ZPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 120nC | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | auf Bestellung 8364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 19200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321-7P | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH MOSFET - PACKAGE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321PBF | Infineon | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 83 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263CB Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7 Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 13300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg | auf Bestellung 3470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | auf Bestellung 25600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 350W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | auf Bestellung 25679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC | auf Bestellung 4612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410PBF | IR | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFS4410PBF - IRFS4410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410PBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 247 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC | auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410Z | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410Z Produktcode: 99517
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 97 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,2 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4820/83 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4410ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |