Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 564800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg | auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 2411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 25600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620 | International Rectifier | N-MOSFET 24A 200V 144W IRFS4620 TIRFS4620 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4620PBF | Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 144 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0637 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620PBF Produktcode: 74099
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В Drain-Strom Idd, A: 24 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 63,7 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/25 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg | auf Bestellung 7328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4710 | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS510A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS520A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 640 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS520A Produktcode: 77930
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Lieblingsprodukt
| Fairchild | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 7,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/23 Bemerkung: Isoliertes Gehäuse Montage: THT | verfügbar: 12 St.
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| IRFS52N15D Produktcode: 140134
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS52N15D | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DHR | Infineon Technologies | Description: IRFS52N15DHR | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DPBF | International Rectifier | TO-263 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DPBF Produktcode: 177153
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRL | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 33 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | auf Bestellung 3450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 17600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS530 | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS530A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.35A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V | auf Bestellung 4315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS530A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS530A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 4315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS530A-NL(PBF) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS540A | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel A-FET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS540A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | auf Bestellung 6491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS540A | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | auf Bestellung 88937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS540A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS540A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 88157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS540A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | auf Bestellung 82180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS5615 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5615TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC | auf Bestellung 1234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5615TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5620TRLPBF | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS5620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS5620TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DPBF | International Rectifier | D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 76nC | auf Bestellung 3575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DTRL | auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC | auf Bestellung 2504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DTRLPBF | IR | 09+ | auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS59N10DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS610BFP001 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 22W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS614B | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V | auf Bestellung 77516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS614B | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFS614B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 9332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS614B | FAIRCHILD | IRFS614B | auf Bestellung 77516 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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