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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TSM1A682H34D1RZThinking Electronics Industrial Co.Description: NTC 0603 6.8 KoHm +/-3% Pmax 210
Power - Max: 210 mW
Part Status: Active
Resistance Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 6.8k
B Value Tolerance: ±1%
B25/85: 3435K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
13+1.74 EUR
15+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
tsm1a682H34d3rB
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
tsm1a682H34d3rz
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Tsm1a682j34d3rB
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
tsm1a682j34d3rz
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
tsm1a682k34d3rB
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
tsm1a682k34d3rz
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1B103F3383RZThinking Electronics Industrial Co.Description: NTC Thermistor 0603 10KoHm +/-1%
Power - Max: 210 mW
Part Status: Active
Resistance Tolerance: ±1%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
B Value Tolerance: ±3%
B25/50: 3380K
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Packaging: Bag
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
12+1.88 EUR
15+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1B472F3503RZThinking Electronics Industrial Co.Description: NTC 0603 4.7 KoHm +/-1% Pmax 210
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/50: 3500K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 4.7k
Resistance Tolerance: ±1%
Part Status: Active
Power - Max: 210 mW
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
12+1.88 EUR
15+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1B472J3502RZ0603TEM
auf Bestellung 7776 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C103F3611RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 10KOHM 1%
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
43+0.49 EUR
46+0.46 EUR
49+0.43 EUR
52+0.4 EUR
100+0.38 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C103F3611RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 10KOHM 1%
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C105ASSR(16V/1UF/A)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C106TSSRDAEWOO07+;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C225ASSR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C225ASSR(16V/2.2UF/A)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C330DSR
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C335ASSR
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C336CSSR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C475ASSR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
tsm1c475SSR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1C685TSSB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D106TSSR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D223F3951RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 22KOHM 1%
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
45+0.48 EUR
47+0.45 EUR
51+0.42 EUR
54+0.39 EUR
100+0.37 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D223F3951RThinking ElectronicDescription: THERMISTOR, NTC, 0603, 22KOHM 1%
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D225ASSR
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D335ASSR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D475BSSR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1D4IN
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1E105ASSRDAEWOO25V1UF-A
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1E105ASSR 25V1UF-ADAEWOO
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1E105ASSR25V1UF-ADAEWOO
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1E475TSSR
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45CTTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45CT B0Taiwan SemiconductorMOSFET 450V .5Amp N Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45CT B0GTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45CW RPTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45DCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 450V N Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N45DCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N50CTTaiwan SemiconductorMOSFET 500V N Channel Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N50CT B0Taiwan SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N60CH
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N60CPRO
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N60SCTTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 1A N channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N60SCT A3Taiwan SemiconductorMOSFET 600V 1Amp N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N60SCT_B0
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N80CWTaiwan SemiconductorMOSFETs 800V N Channel Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N80CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N80CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1N80CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
auf Bestellung 3452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 14962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
75+0.9 EUR
150+0.81 EUR
525+0.67 EUR
1050+0.6 EUR
2025+0.55 EUR
5025+0.5 EUR
10050+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CPTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK TSM1NB60CP ROG TTSM1nb60cp
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 4624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
58+4.06 EUR
100+2.31 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+1.15 EUR
100+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
18+1.23 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1NB60CP ROG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 4624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60CWRPGTaiwan Semiconductor600V 1Amp N Chanel Mosfet Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60LCW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60LCW RPGTaiwan SemiconductorMOSFETs 600V, 0.55A, Single N-Channel High Voltage MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60LCW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 300 V
auf Bestellung 4288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT A3Taiwan SemiconductorMOSFET 600V 0.5A N Channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT A3Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT A3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT A3GTaiwan SemiconductorMOSFET 600V 0,5Amp N channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT A3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT B0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1NB60SCT B0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V104AKSR
auf Bestellung 14653 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V106DSSRDAWU03+
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V224AKSR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V224ASSR
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V334AKSRDAEWOO0.33UF35V-A
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V334ASSR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V475DSSR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V684ASSR
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM1V685CSSR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33Taiwan SemiconductorMOSFET 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 7785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 12674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM20207TS
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2020CFCUABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RING 200A22K 20/40 F UG/OH EUSC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2020CFCUPABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 20/40 F ESRC RETAIL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2020CSCUPABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 2040 S UGOH EUS RETL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2022USCUABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 225A22K 20/40 S UG EUSC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM202A1
Produktcode: 40679
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Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM202A1NINIGICategory: Toggle Switches
Description: Switch: toggle; Pos: 2; DPDT; ON-ON; 3A/250VAC; Leads: for soldering
Mounting hole dimensions: Ø6.2mm
Related items: TSPC05
Type of switch: toggle
Body colour: blue
AC contacts rating @R: 3A / 250V AC
Operating temperature: -25...85°C
Contacts configuration: DPDT
Stable positions number: 2
Leads: for soldering
Body dimensions: 13.2x12.9x9.5mm
Kind of toggle: round
Switching method: ON-ON
Soldering temperature: 260°C / 4 s
Max. contact resistance:: 20mΩ
Electrical life: 20000 cycles
Number of positions: 2
Actuator material: metal
Knob height: 11mm
auf Bestellung 3353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
70+1.23 EUR
83+1.04 EUR
100+0.94 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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