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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFS840BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9630IR96 TO220
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60A
Produktcode: 77974
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar: 4 St.
    1+0.7 EUR
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    IRFS9N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 373 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    55+2.69 EUR
    73+1.98 EUR
    100+1.84 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 170W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
    auf Bestellung 300 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 102 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    43+3.44 EUR
    49+3 EUR
    58+2.45 EUR
    60+2.33 EUR
    100+1.82 EUR
    Mindestbestellmenge: 43 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 2650 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    63+2.33 EUR
    Mindestbestellmenge: 63 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 5.8A
    Power dissipation: 170W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.75Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 49nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 114 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    18+4.1 EUR
    50+1.9 EUR
    100+1.77 EUR
    Mindestbestellmenge: 18 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 102 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    46+3.19 EUR
    49+2.97 EUR
    67+2.12 EUR
    100+1.98 EUR
    Mindestbestellmenge: 46 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1769 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+6.39 EUR
    10+3.04 EUR
    100+2.48 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 630 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    47+3.18 EUR
    52+2.81 EUR
    91+1.55 EUR
    100+1.5 EUR
    250+1.46 EUR
    500+1.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 47 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 114 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    42+3.49 EUR
    50+3.33 EUR
    Mindestbestellmenge: 42 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 564 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    52+2.86 EUR
    68+2.13 EUR
    Mindestbestellmenge: 52 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 373 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    55+2.69 EUR
    73+1.94 EUR
    100+1.77 EUR
    Mindestbestellmenge: 55 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 520 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    57+3.07 EUR
    100+2.99 EUR
    500+2.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 57 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 424 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    58+2.53 EUR
    76+1.86 EUR
    100+1.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 58 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+6.92 EUR
    50+3.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 420 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    58+2.53 EUR
    76+1.9 EUR
    100+1.77 EUR
    Mindestbestellmenge: 58 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 17 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 498 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    62+2.39 EUR
    103+1.37 EUR
    107+1.28 EUR
    108+1.21 EUR
    111+1.14 EUR
    250+1.04 EUR
    Mindestbestellmenge: 62 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    auf Bestellung 895 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+6.92 EUR
    10+4.58 EUR
    100+3.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 9.2A
    Power dissipation: 170W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.75Ω
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Pulsed drain current: 37A
    Gate charge: 49nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 498 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    103+1.42 EUR
    107+1.35 EUR
    108+1.31 EUR
    111+1.25 EUR
    250+1.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 103 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBF
    Produktcode: 44716
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    		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1397 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+7.15 EUR
    10+4.68 EUR
    100+3.4 EUR
    500+2.75 EUR
    800+2.64 EUR
    2400+2.5 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 9.2A
    Power dissipation: 170W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.75Ω
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    Pulsed drain current: 37A
    Gate charge: 49nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    auf Bestellung 800 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+6.92 EUR
    10+4.58 EUR
    100+3.24 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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    IRFS9N60ATRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 453 Stücke:
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    IRFS9N60ATRRPBFIR2006
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    IRFS9N60ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
    auf Bestellung 800 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    800+2.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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    IRFSL11N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Vgs (Max): ±30V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-262-3
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRFSL11N50AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFSL11N50APBF
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFSL11N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL11N50APBFVishayTransistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRFSL11N50APBF
    Produktcode: 206444
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    		Transistoren > MOSFET N-CH
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    IRFSL11N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
    Vgs (Max): ±30V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-262-3
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL11N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 883 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+7.08 EUR
    10+4.7 EUR
    100+3.5 EUR
    500+2.87 EUR
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    IRFSL11N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 500V
    Drain current: 7A
    Power dissipation: 190W
    Case: I2PAK; TO262
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.55Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 51nC
    auf Bestellung 390 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    34+2.13 EUR
    38+1.92 EUR
    42+1.72 EUR
    50+1.53 EUR
    Mindestbestellmenge: 34 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL17N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL17N20D
    auf Bestellung 553 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL17N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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    IRFSL23N15D
    auf Bestellung 853 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL23N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL23N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL23N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
    Packaging: Tube
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±30V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: TO-262
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL23N20D102PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    Packaging: Tube
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Vgs (Max): ±30V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: TO-262
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3004Infineon TechnologiesArray
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: TO-262
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3004PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3004TRLPbFInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3004TRRPbFInfineon / IRMOSFET
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3006Infineon TechnologiesInfineon
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Not For New Designs
    Supplier Device Package: TO-262
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107Infineon Technologies
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 978 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    127+4.35 EUR
    500+4.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 127 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC
    auf Bestellung 978 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+10.65 EUR
    10+9.57 EUR
    100+7.83 EUR
    500+6.69 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
    Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
    auf Bestellung 4390 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    109+4.36 EUR
    Mindestbestellmenge: 109 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3107PBF - IRFSL3107 75V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
    tariffCode: 85423990
    productTraceability: No
    rohsCompliant: YES
    euEccn: TBC
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: TBA
    usEccn: TBC
    SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    auf Bestellung 4390 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 106 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 950 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    127+4.35 EUR
    500+4.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 127 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3107PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Obsolete
    Supplier Device Package: TO-262
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL31N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL31N20D
    auf Bestellung 9800 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL31N20DTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
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    IRFSL31N20DTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    Supplier Device Package: I2PAK
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
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    IRFSL3206Infineon / IRMOSFET
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 1000 Stücke:
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    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    903+1.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 903 Stücke
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    199+2.76 EUR
    Mindestbestellmenge: 199 Stücke
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    IRFSL3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 60V
    Drain current: 210A
    Power dissipation: 300W
    Case: TO262
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
    auf Bestellung 930 Stücke:
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    1+5.6 EUR
    10+2.83 EUR
    100+2.55 EUR
    500+2.08 EUR
    1000+2.06 EUR
    2000+1.94 EUR
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 900 Stücke:
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    900+1.43 EUR
    Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
    Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
    auf Bestellung 971 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.53 EUR
    50+2.78 EUR
    100+2.52 EUR
    500+2.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    199+2.76 EUR
    500+2.45 EUR
    1000+2.2 EUR
    Mindestbestellmenge: 199 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 180A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
    Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 1630 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    77+1.9 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO262
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Supplier Device Package: TO-262
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Packaging: Tube
    auf Bestellung 880 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.91 EUR
    50+3.1 EUR
    100+2.66 EUR
    500+2.6 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRFSL3207ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 75V
    Drain current: 170A
    Power dissipation: 300W
    Case: TO262
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 88 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    15+4.85 EUR
    21+3.55 EUR
    25+2.95 EUR
    50+2.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 15 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
    auf Bestellung 4409 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+8.32 EUR
    10+5.46 EUR
    100+4.05 EUR
    500+3.41 EUR
    1000+3.15 EUR
    2000+2.96 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 75
    Dauer-Drainstrom Id: 170
    Qualifikation: -
    MSL: MSL 2 - 1 Jahr
    Verlustleistung Pd: 300
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
    Verlustleistung: 300
    Bauform - Transistor: TO-262
    Anzahl der Pins: 3
    Produktpalette: HEXFET
    Wandlerpolarität: n-Kanal
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
    Rds(on)-Prüfspannung: 10
    Betriebstemperatur, max.: 175
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
    SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 956 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    193+2.85 EUR
    500+2.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 193 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 16200 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    19+7.74 EUR
    32+4.49 EUR
    100+3.69 EUR
    500+3.11 EUR
    1000+2.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 19 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 25600 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    33+4.49 EUR
    39+3.79 EUR
    78+1.82 EUR
    1000+1.77 EUR
    5000+1.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 33 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 5024 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    25+6.08 EUR
    46+3.17 EUR
    100+2.83 EUR
    500+2.29 EUR
    1000+2.08 EUR
    2000+2.03 EUR
    Mindestbestellmenge: 25 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 2996 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    29+5.05 EUR
    31+4.75 EUR
    37+3.9 EUR
    100+3.31 EUR
    250+3.2 EUR
    500+2.87 EUR
    1000+2.47 EUR
    2000+2.33 EUR
    Mindestbestellmenge: 29 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 16200 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    73+2.01 EUR
    Mindestbestellmenge: 73 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    182+3.01 EUR
    500+2.85 EUR
    1000+2.64 EUR
    Mindestbestellmenge: 182 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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