Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7534TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 18400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | auf Bestellung 1238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7534TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7537PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 173A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7537PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7537TRL | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 60V 173A IRFS7537TRL IRFS7537 TIRFS7537 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 24225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 60V 110A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730 Produktcode: 105699
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| International Rectifier | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS7730-7P | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730-7PPBF | Infineon | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS7730PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V | auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon | N-Channel 75 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 1537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm | auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP Produktcode: 103419
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7730TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7734 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7734-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7734-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7734PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7734PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7734TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS7734TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 294mW SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IRFS7734TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 197A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|