Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFS9N60ATRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS9N60ATRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS9N60ATRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFS9N60ATRRPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS9N60ATRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS9N60ATRRPBF | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50A | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFSL11N50APBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50APBF | Vishay | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 190W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL11N50APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET | auf Bestellung 883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL11N50APBF Produktcode: 206444
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFSL17N20D | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFSL17N20D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL17N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL23N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL23N15D | auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFSL23N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL23N20D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO262 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL23N20D102P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3004 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3004PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 40V 240A 1.7mOhm 160nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3004PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3004TRLPbF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3004TRRPbF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3006 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3006PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3107 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFSL3107PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3107PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V | auf Bestellung 4390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL3107PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3107PBF - IRFSL3107 75V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3107PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3107PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC | auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL3107PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL31N20D | auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFSL31N20D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL31N20DTRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL31N20DTRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3206 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V | auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 16200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 25600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC | auf Bestellung 4409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 5024 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262 Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 170A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO262 | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 16200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3207ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL3207ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0033 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3207ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3307 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3307ZPBF | IR | 08+ TO262 | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL33N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL33N15DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3507 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3607PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3806PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3806PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3806PBF - IRFSL3806 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 19647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL38N20DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 43 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL38N20DPBF | Infineon / IR | MOSFET PLANAR >= 100V | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL4010 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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