Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | IR | 1014+ TO262 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3306PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3307 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 130A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3307ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3307ZPBF | IR | 08+ TO262 | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL33N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL33N15DTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3507 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 97A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3607PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3607PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3806PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 19647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL3806PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3806PBF - IRFSL3806 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 741 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL38N20DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 43 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL38N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL38N20DPBF | Infineon / IR | MOSFET PLANAR >= 100V | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4010 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4010PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL4010PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 180 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 3170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 375W Technology: HEXFET® | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC | auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4010PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4020PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4115PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 195A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A Power dissipation: 375W Case: TO262 On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4127PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4127PBF/SAMPLE | Infineon Technologies | SAMPLE INVENTORY REQUEST | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL41N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL41N15D | auf Bestellung 17650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFSL4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4227PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 62 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4228PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC | auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 127 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4321PBF | IR | 09+ SOP8 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410 | IR | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410TRPBF | IR | 0638+ TO262 | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262 Kind of package: tube Drain current: 97A Power dissipation: 230W Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Case: TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC | auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4410ZPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL4410ZPBF - IRFSL4410Z - TRENCH 100V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 681 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 191 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510 | International Rectifier | TO-262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4610 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4620PBF | Rochester Electronics, LLC | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL4710 | International Rectifier | TO-262 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL52N15D | IR | TO-262 0611+ | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL5620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |