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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N4911 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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2N4911 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 1.0A 25W 60Vcbo 60Vceo 1.0A 3.0MHz
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2N4912Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N4912
Produktcode: 132579
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4912Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 4A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.22 EUR
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2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+50.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N4912Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4912MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4912Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+50.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N4912 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
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2N4913Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N4913MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4913Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4913Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4913Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 40V 5A 88000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4914Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4914Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2N4914MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4915Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 5A TO3
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 88 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N4915MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4915MicrosemiTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+157.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N4915onsemiBipolar Transistors - BJT
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2N4915Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N4916MOTOROLA
auf Bestellung 28500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4917MOTOROLA
auf Bestellung 28900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4918Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power
auf Bestellung 1642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2N4918MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4918Solid State Inc.Description: TRANS PNP 40V 1A TO126
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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2N4918ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
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2N4918 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N4918 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Power
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.56 EUR
100+2.02 EUR
250+1.87 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N4918GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
152+1.54 EUR
201+1.07 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
317+0.54 EUR
325+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
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2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N4918GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 1A TO126
auf Bestellung 6993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
15+1.49 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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2N4918GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.63 EUR
287+0.58 EUR
317+0.51 EUR
325+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
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2N4918GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.59 EUR
10+1.4 EUR
100+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N4919onsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4919onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
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2N4919MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4919GOn SemiconductorBipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126 Транзистори
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2N4919GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4919GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N4919GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2N4919GON Semiconductor
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N4919GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 32188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
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2N4919GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N491AMOTCAN
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N491BMOTCAN
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N492MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920Solid State Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N4920 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920
Produktcode: 200323
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920 PBFREE
Produktcode: 205418
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.59 EUR
100+2.07 EUR
250+1.92 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 80V 1A 30W TH TRANSISTOR-BIPOLAR
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920 TIN/LEADCentral Semiconductor2N4920 TIN/LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 30W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
169+1.37 EUR
224+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920GOn SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=1A, h21=10...150, 30Вт, 3МГц, TO-225AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.4 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4920GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 17678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
634+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 634 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4921onsemiBipolar Transistors - BJT
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2N4921onsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO126
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
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2N4921GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N4921GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
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2N4921GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2N4921GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W NPN
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N4921GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1028+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1028 Stücke
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2N4921GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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2N4922onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN
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2N4922ON09+
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2N4922GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Current gain: 30...150
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
70+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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2N4922GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N4922GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10308 Stücke:
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9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2N4922GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3638 Stücke:
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85+2.95 EUR
129+1.81 EUR
190+1.13 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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2N4922GOn SemiconductorNPN 60V 1A TO-225 Транзистори
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2N4922GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4922GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN
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10+1.54 EUR
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2N4923ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2N4923onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
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2N4923onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
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2N4923STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
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2N4923
Produktcode: 153719
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N4923NTE Electronics, Inc.Silicon NPN Transistor High Voltage
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66+2.67 EUR
69+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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2N4923STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-32
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
Power - Max: 30 W
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N4923 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 3MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2N4923 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Med Power
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2N4923 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 1.0A 30W 80Vcbo 80Vceo 1.0A 3.0MHz
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2N4923GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
132+1.76 EUR
205+1.05 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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2N4923GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N4923GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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