Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPB60R090CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R090CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R090CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R090CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R090CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Power Transistor MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6 | auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPA | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA | auf Bestellung 3198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPA | Infineon | IPB60R099CPA MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099CPAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 255W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099CPATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 255W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2081 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R105CFD7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R105CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R105CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R105CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R105CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R105CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.089ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R105CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R105CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R120C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | auf Bestellung 37950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R120P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 5303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 95W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R120P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125C6 | Infineon | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6 | auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R125C6 Produktcode: 207837
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R125C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125C6ATMA1 Produktcode: 210840
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | auf Bestellung 1004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | IPB60R125C6ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R125CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 92W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 92W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB60R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPB60R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R125CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB60R125CP | Infineon technologies | auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPB60R125CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |