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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+4.27 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4L01ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+4.27 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
37+6.35 EUR
100+4.39 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.33 EUR
3000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.32 EUR
34+5.02 EUR
100+3.52 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.38 EUR
31+7.52 EUR
100+5.19 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS® -T2
Drain current: 180A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.79 EUR
32+5.32 EUR
50+4.45 EUR
100+3.57 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 7665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.28 EUR
100+4.46 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.62 EUR
10+6.38 EUR
50+4.99 EUR
100+4.55 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.87 EUR
500+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.28 EUR
3000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.28 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.28 EUR
28+5.94 EUR
50+4.47 EUR
100+3.92 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S4-02Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+6.88 EUR
1000+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+5.78 EUR
500+5.4 EUR
1000+5 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
10+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+5.78 EUR
500+5.4 EUR
1000+5 EUR
10000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
21+11.07 EUR
100+9.21 EUR
500+6.88 EUR
1000+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.23 EUR
24+6.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.25 EUR
24+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.25 EUR
10+9.45 EUR
25+8.9 EUR
100+7.64 EUR
250+7.2 EUR
500+6.81 EUR
1000+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7000 Stücke
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IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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112+5.78 EUR
500+5.4 EUR
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IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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17+10.25 EUR
24+7.09 EUR
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IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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14+13.11 EUR
25+12.38 EUR
50+11.65 EUR
100+11 EUR
250+10.51 EUR
500+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
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IPB180N10S4-02Infineon
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IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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16+10.83 EUR
25+10.22 EUR
50+9.62 EUR
100+9.08 EUR
250+8.68 EUR
500+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+4.71 EUR
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IPB180N10S402ATMA1Infineon
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.97 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.41 EUR
21+8.02 EUR
50+6.1 EUR
100+5.37 EUR
500+4.51 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.44 EUR
24+7.15 EUR
25+6.93 EUR
50+6.7 EUR
100+4.89 EUR
250+4.76 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+10.75 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.86 EUR
10+8.62 EUR
50+6.81 EUR
100+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.22 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
28+8.54 EUR
100+5.97 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.47 EUR
24+7.18 EUR
25+6.83 EUR
50+5.94 EUR
100+4.93 EUR
250+4.83 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.22 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 180A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+5.22 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.52 EUR
10000+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.35 EUR
26+6.63 EUR
100+4.78 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.67 EUR
29+8.14 EUR
100+5.44 EUR
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+8.82 EUR
100+6.5 EUR
500+5.71 EUR
1000+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+5.31 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.58 EUR
10000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
10+8.23 EUR
100+5.95 EUR
500+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.34 EUR
26+6.47 EUR
100+4.59 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.59 EUR
26+6.62 EUR
100+4.77 EUR
500+3.93 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4-03Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.08 EUR
10+5.3 EUR
100+3.96 EUR
500+3.44 EUR
1000+2.92 EUR
2000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.65 EUR
10000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.69 EUR
40+4.32 EUR
100+3.18 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.81 EUR
38+4.56 EUR
100+3.27 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.98 EUR
10+5.26 EUR
50+4.08 EUR
100+3.7 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.81 EUR
38+4.45 EUR
100+3.15 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+4.02 EUR
100+3.64 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 7404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
40+5.87 EUR
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L-02Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
auf Bestellung 22074 Stücke:
Lieferzeit 386-390 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+10.08 EUR
100+8.25 EUR
500+7.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L-02
Produktcode: 148550
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L-02Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1
Produktcode: 130964
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.92 EUR
43+5.47 EUR
50+4.76 EUR
200+4.44 EUR
500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.69 EUR
38+4.51 EUR
100+3.17 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.69 EUR
38+4.41 EUR
100+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.76 EUR
10000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.76 EUR
200+4.44 EUR
500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
auf Bestellung 41716 Stücke:
Lieferzeit 420-424 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+10.08 EUR
100+8.25 EUR
500+7.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.7 EUR
38+4.52 EUR
100+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+3.18 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Technology: OptiMOS™ P2
Drain current: -140A
Gate-source voltage: -16...5V
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.32 EUR
37+4.58 EUR
100+3.12 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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