Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
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| IRF3711STRL | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3711STRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 29nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711STRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711Z Produktcode: 99471
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 20 Idd,A: 65 Rds(on), Ohm: 6.0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF3711Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCS | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRLP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRRP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZCSTRRPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZLPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 16nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 92A 6mOhm 16nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZS | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZS Produktcode: 99472
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 20 Idd,A: 65 Rds(on), Ohm: 6.0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2150/16 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRF3711ZSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZSPBF | Infineon / IR | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 5.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3711ZSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717 | IOR | 09+ | auf Bestellung 1591 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 285 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717HR | Infineon Technologies | Description: IRF3717HR | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717HR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R | auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3717PBF Produktcode: 26533
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Idd,A: 20 Rds(on), Ohm: 0.0044 Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22 JHGF: SMD | auf Bestellung 12 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRF3717PBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3717PBF - IRF3717 - N CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 49 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TR | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 20V 20A 4.4mOhm 22nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF-1 | Infineon / IR | Infineon SO-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3717TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3803S | IR | 08+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3805L-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805L-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805LPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 25870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 25865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 7385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 220A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC | auf Bestellung 2034 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 16065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805S | IR | 05+ BGA | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805S | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3805S | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3805S | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF3805S-7P Produktcode: 49413
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | IRF3805S-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube - Arrow.com | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 49nC | auf Bestellung 5718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | International Rectifier | D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Amphenol | Circular MIL Spec Connector | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805SPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH 3.3mOhm HEXFET 75A ID | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF3805STRL-7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF3805STRL-7PP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |