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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7431DPVISHAY09+
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.65 EUR
100+4.74 EUR
500+3.93 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
33+7.13 EUR
100+4.76 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+5.9 EUR
100+4.57 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.8 EUR
3000+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.87 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.88 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 11779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.15 EUR
10+6.07 EUR
100+4.32 EUR
500+3.8 EUR
1000+3.72 EUR
3000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 1377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.06 EUR
10+6.68 EUR
100+4.76 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.79 EUR
32+7.26 EUR
100+5.01 EUR
500+4.28 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7431DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7434ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.15 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7434ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.15 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54.3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.02 EUR
49+4.76 EUR
100+3.32 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 276-280 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.95 EUR
100+2.34 EUR
250+2.15 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.89 EUR
10+4.94 EUR
100+4.02 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+4.96 EUR
100+4.01 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+5.49 EUR
100+4.13 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.87 EUR
6000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DPVISHAY09+
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
10+6.54 EUR
100+4.66 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.073 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.3 EUR
500+4.5 EUR
1000+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.28 EUR
100+4.49 EUR
500+3.94 EUR
3000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3Vishay BCMOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 3292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.45 EUR
50+8.28 EUR
100+5.74 EUR
500+4.88 EUR
1500+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+6.28 EUR
100+4.82 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.94 EUR
3000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 6335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.87 EUR
10+6.54 EUR
100+4.66 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7440
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7440DPSILICONIX02+ SO-8
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7440DPVishayN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7440DP-T1VISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7440DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7440DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7440DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7442DPSILICONIXN/A
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7442DP-T1
auf Bestellung 44100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7444
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7444DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 23.6A 1.9W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7444DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7445DP-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7445DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7445DP-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7445DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446SI
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP-T
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP-T1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP-T1-E3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446BDP-T1-T3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446DPVISHAY09+
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446DPVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446DP-T1VISHAY
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7446DP-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7447VISHAY04+
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7447ADP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7447ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7447ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7447DP
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7447DP-T1
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7448DP-T1
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7448DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7448DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7448DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7448DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7448DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DPVISHAY09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1VISHAY0409+
auf Bestellung 2196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+4.66 EUR
100+3.45 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.68 EUR
3000+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
51+4.62 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7450DP-T1-GE3
Produktcode: 86304
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI7450DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.73 EUR
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