Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFSL7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 7925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7434PBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7434PBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon | auf Bestellung 460000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1kA | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 | auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7437PBF Infineon Technologies Produktcode: 212143
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFSL7437TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET Trench Mosfet - TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7437TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 | auf Bestellung 7039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO-262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 5995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 4246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7530PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7530PBF - IRFSL7530 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7530PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 2258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7534PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7534PBF - IRFSL7534 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 23830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7534PBF | Infineon / IR | MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7534PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 23830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7537PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7537PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFSL7537PBF - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 173 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 230 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 Verlustleistung: 230 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00275 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275 SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7537PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7540PBF - IRFSL7540 STRONGIRFET, 60V POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7730PBF | International Rectifier | Description: IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) | auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7730PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7730PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7730PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7734PBF | International Rectifier | Description: IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7734PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7734PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7734PBF - IRFSL7734 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7734PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7734PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7762PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7762PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 85A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL7762PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFSL7787PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 76A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL7787PBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL9N60A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL9N60A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL9N60APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL9N60APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL9N60APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFSL9N60APBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Chan 600V 9.2 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL9N60ATRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSL9N60ATRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSZ34A Produktcode: 7956
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| FS | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Bemerkung: Isoliertes Gehäuse Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSZ34A | FAIRCHILD | 2003 | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFSZ44 | SAMSUNG | TO-55 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFT001 | IOR | ZIP | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFT002 | IR | auf Bestellung 1878 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFT003 | IOR | ZIP | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTOXIC10PADS | IOR | 2007 | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTOXIC8PADS | IOR | 2007 | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS8342 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS8342TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFTS8342TR; SP001552394; IRFTS8342TR JGSEMI TIRFTS8342 JGS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS8342TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFTS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS8342TRPBF | International Rectifier | MOSF N CH 30V 8.2A TSOP6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS8342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.2A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 16349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF | IRFTS9342TRPBF Транзисторы HEXFET | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs P-CHANNEL -30V -5.8A 40 mOhm | auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF | Infineon | MOSF P CH 30V 5.8A TSOP6 Транзистори | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFTS9342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: -5.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel Power dissipation: 2W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFTS9342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 16432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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