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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFW820AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFW820ATMSAMSUNGTO-263
auf Bestellung 43200 Stücke:
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IRFW820BFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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IRFW820BTMIRTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
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IRFW820BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
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IRFW820BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW820BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
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IRFW820TMIR07+ TO-263/D2-PAK
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IRFW830AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
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IRFW830BFAIRCHILD07+ TO-263
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IRFW830B-TFFAIRCHILDTO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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IRFW830BTMIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
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IRFW840AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFW840BFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
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IRFW840BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
433+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
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IRFW840BTMIRTO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFW840BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW840BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 764 Stücke
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IRFWZ14AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFWZ24AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFWZ34AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFWZ44AIR07+ TO-263/D2-PAK
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY130Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY130Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY130Semelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY130CMInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY130CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFY130CMSCXInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA Isolated
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFY130CMSCXInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140CMInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140CMSCVInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140CMSCVInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140CMSCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY140CSCXInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFY140CSCXInfineon / IRMOSFET
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IRFY240Infineon / IRMOSFET
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IRFY240Semelab / TT ElectronicsMOSFET MOSFET TO220 METAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY240Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY240-QR-BTT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY240CMInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY240CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY440Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY440Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY440CInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY440CInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY440CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY440CMInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130TT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130-QR-BSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130-QR-BSemelab / TT ElectronicsMOSFET POWER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130CInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130CInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130CMInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130CMSCVInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9130CMSCVInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9140-QR-BSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9240CMInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFY9240CMInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-257AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBFVishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.52 EUR
10+1.99 EUR
100+1.51 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ120IR00+
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SiliconixN-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFTO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 47886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
50+1.64 EUR
100+1.47 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.91 EUR
10000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
106+0.67 EUR
124+0.58 EUR
129+0.56 EUR
150+0.54 EUR
250+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF
Produktcode: 39866
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 45
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.300
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+1.65 EUR
100+1.47 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+0.93 EUR
162+0.89 EUR
250+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.83 EUR
10+1.35 EUR
100+1.07 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
50+1.64 EUR
100+1.47 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
10+2.14 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ14SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
auf Bestellung 339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.34 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.97 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFZ20PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20SEC9818 TO-220
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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