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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD8896 TO252(DPAK)YFWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,2mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Substitute: YFW100N03AD; YFW100N03AD TFDD8896 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896 UMWUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: FDD8896 Onsemi; FDD8896 TFDD8896 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896(IC)
Produktcode: 45662
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 561 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
709+0.94 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 709 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8896-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 33910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
709+0.94 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 709 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
438+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-GONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8896-G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+13.65 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+11.36 EUR
100+10.64 EUR
500+9.87 EUR
1000+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896-SN00320ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8896-SN00320 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 36629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD8896AFAIRCHILD03+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD8896A TO-252 (Transistor)
Produktcode: 47335
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UKTZED: 8541 29 00 90
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896_F085Aonsemi / FairchildMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896_Gonsemi / FairchildMOSFETs
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FDD8896_NBSW006Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8896_NLFAIRCHILD05+06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD8896_SN00320ON SemiconductorFDD8896-SN00320
auf Bestellung 20799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZonsemionsemi UF2 500V 1.2OHM DPAK
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FDD8N50NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZTMonsemi / FairchildMOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET DPAK
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.25 EUR
10+2.92 EUR
100+2.28 EUR
500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8N50NZTMONSEMIDescription: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.19 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.002 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
63+3.69 EUR
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407-F085onsemi / FairchildMOSFET NMOS DPAK 40V 2 MOHM
auf Bestellung 2479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
2500+3.47 EUR
10000+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085onsemi / FairchildMOSFET 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+4.05 EUR
100+3.22 EUR
250+2.98 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.59 EUR
2500+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 11952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.4 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085onsemiMOSFETs 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 4831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+4.25 EUR
100+3 EUR
500+2.56 EUR
2500+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 11952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.06 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9407L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.39 EUR
7500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9407_SN00283onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2 EUR
104+1.69 EUR
105+1.64 EUR
121+1.39 EUR
250+1.36 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2 EUR
104+1.65 EUR
105+1.58 EUR
121+1.32 EUR
250+1.26 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.47 EUR
71+3.3 EUR
100+2.31 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085onsemiMOSFETs N-channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 496970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.25 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
10000+2.26 EUR
100000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085onsemi / FairchildMOSFET N-channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 12533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+3.19 EUR
100+2.56 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.74 EUR
25000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.25 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD9409L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 323756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+3.25 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
10000+2.26 EUR
100000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9409L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.49 EUR
142+1.21 EUR
143+1.15 EUR
198+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
auf Bestellung 9970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench 40V, 50A, 4.1m?
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET ICE Mosfet
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
auf Bestellung 222187500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
auf Bestellung 87500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9410_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 15A DPAK N-Chnl PowerTrench
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411L-F085ON SemiconductorDescription: NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM
auf Bestellung 9437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8N 40V N-ChannelLL PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411L-F085ON SemiconductorDescription: NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411L_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD9411_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
auf Bestellung 248040000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDD9507L-F085onsemiMOSFET PMOS DPAK -40V -100A 4.4 mOhm
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FDD9507L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD9507L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
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FDD9507L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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68+2.65 EUR
78+2.21 EUR
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250+1.48 EUR
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FDD9507L-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
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FDD9509L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL DPAK
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FDD9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD9509L-F085ON SemiconductorDescription: PT8P 40V LL DPAK
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FDD9509L-F085onsemiMOSFETs PT8P 40V LL DPAK
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FDD9509L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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473+1.42 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
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FDD9510L-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD9510L-F085Fairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2020 @ 20, Qg, нКл = 37, Rds = 13,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 75, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDD9510L-F085ON SemiconductorMOSFET 40V P-Chnl Power Trench Mosfet
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FDD9510L-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
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FDD9511L-F085ON Semiconductor
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FDD9511L-F085onsemiMOSFET 40V P-Chnl Power Trench Mosfet
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