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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS030N06BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS030N06BonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 9135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+0.94 EUR
100+0.65 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
6000+0.6 EUR
9000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 9109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.26 EUR
100+0.89 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
auf Bestellung 14997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
15+1.48 EUR
100+1.02 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310ASONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
606+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 606 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 30V/20V NCH ERTR EN
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0310SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
9000+0.4 EUR
15000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312ASonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
auf Bestellung 331818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312ASonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.98 EUR
100+0.68 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+1.07 EUR
100+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1259+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1259+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1229+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SonsemiMOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
auf Bestellung 6003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SFAIRCHILDQFN
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 90A; 46W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 46W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1259+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1259 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0312SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032G-CA0FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032G-CA0 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+72.49 EUR
5+62.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 32GB 3D TLC DIAMOND
Part Status: Active
Technology: TLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 32GB 3D TLC GOLD GRA
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SD-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: pSLC
Part Status: Active
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GCG-3201FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GCG-3201 - Flash-Speicherkarte, SDHC-Karte, 32 GB, UHS-I U1
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Flash-Speicherkarte: SDHC-Karte
UHS-Standard: UHS-I U1
Produktpalette: FxAdv II Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.67 EUR
10+94.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GMC-XE00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS032GMC-XE00 - Flash-Speicherkarte, MicroSD-Karte, 32 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 32GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: -
Betriebstemperatur, min.: -
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: MicroSD-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: -
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC COMMERCIAL GRAD
Part Status: Active
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.16 EUR
10+107.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GME-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 32GB MLC DIAMOND GR
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GME-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+195.64 EUR
10+180.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GME-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Part Status: Active
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+138.61 EUR
10+127.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GME-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 32GB MLC DIAMOND GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GMG-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 32GB MLC GOLD GRADE
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GMG-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 32GB MLC GOLD GRADE
Packaging: Tray
Memory Size: 32GB
Memory Type: SD™
Technology: MLC
Part Status: Active
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+239.94 EUR
10+221.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GMG-XR00Flexxon Pte LtdDescription: ROM SD 32GB MLC GOLD GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Box
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GMG-XS00Flexxon Pte LtdDescription: X-MASK SD 32GB MLC GOLD GRADE
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Box
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GPE-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+182.44 EUR
10+168.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GPG-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 32GB PSLC
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+173.84 EUR
10+160.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS032GSE-N200Flexxon Pte LtdDescription: FXPREM II SD 32GB SLC DIAMOND GR
Part Status: Active
Technology: SLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 32GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1060.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0343SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
auf Bestellung 4477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1285+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0343SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0343S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1886+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1886 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0346Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 13 V
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0348ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0348 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1686+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1686 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0348Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0349ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0349 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 215483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1885+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1885 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0349Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
auf Bestellung 193000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1567+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0352SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0352SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0352S - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0352SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V
auf Bestellung 259928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0355SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
757+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS0355SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0355S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1336+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BONN
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08Bonsemi / FairchildMOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
auf Bestellung 2264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.53 EUR
100+2.57 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.26 EUR
3000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; Idm: 400A; 104.2W; PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104.2W
Gate charge: 0.1µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 14916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.65 EUR
100+3.25 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BonsemiMOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
auf Bestellung 1677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.61 EUR
100+3.36 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.59 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS037N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS038ZSFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1025+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
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FDMS038ZSONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS038ZS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS039N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1044 Stücke:
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42+4.18 EUR
62+2.73 EUR
63+2.57 EUR
100+1.99 EUR
250+1.89 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
auf Bestellung 7191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.52 EUR
100+2.67 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08BONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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FDMS039N08Bonsemi / FairchildMOSFETs FPS
auf Bestellung 8664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.18 EUR
100+2.05 EUR
500+2.03 EUR
1000+2 EUR
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS039N08BON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.18 EUR
62+2.78 EUR
63+2.67 EUR
100+2.09 EUR
250+2.05 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GBC-3100Flexxon Pte LtdDescription: FXADV SD 64GB 3D TLC (-25C-85C)
Packaging: Tray
Memory Size: 64GB
Speed: UHS Class 1
Memory Type: SD™
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Technology: TLC
Part Status: Active
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+89.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GBE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB TLC
Part Status: Active
Technology: TLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GBG-3201Flexxon Pte LtdDescription: FXADV II SD 64GB 3D TLC GOLD GRA
Part Status: Active
Technology: TLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GBG-XR00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS064GBG-XR00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 64 GB
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 64GB
isCanonical: Y
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
SVHC: To Be Advised
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+143.69 EUR
5+116.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GBG-XS00FLEXXONDescription: FLEXXON - FDMS064GBG-XS00 - Flash-Speicherkarte, SDXC-Karte, 64 GB
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
Video-Geschwindigkeitsklasse: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkapazität: 64GB
isCanonical: Y
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Standard-Geschwindigkeitsklasse: -
euEccn: NLR
Flash-Speicherkarte: SDXC-Karte
UHS-Standard: -
Produktpalette: X-Mask Series
productTraceability: No
Anwendungsleistungsklasse: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+104.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GCE-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEM CARD SD 64GB PSLC
Part Status: Active
Technology: pSLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+246.26 EUR
10+226.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GCG-3201Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB PSLC
Technology: pSLC
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
Part Status: Active
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+164.58 EUR
10+151.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GMC-XE00Flexxon Pte LtdDescription: WORM SD 64GB MLC COMMERCIAL GRAD
Part Status: Active
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+173.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS064GME-N200Flexxon Pte LtdDescription: MEMORY CARD SD 64GB MLC
Part Status: Active
Technology: MLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: SD™
Memory Size: 64GB
Packaging: Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+206.44 EUR
10+190.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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