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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.51 EUR
50+5.16 EUR
100+4.96 EUR
200+3.47 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFIR09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+3.71 EUR
500+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.16 EUR
10+6.77 EUR
100+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+6.65 EUR
100+4.91 EUR
500+4.36 EUR
800+3.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808/PBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808LIRTO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF
Produktcode: 33009
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.03 EUR
10+2.53 EUR
100+2.31 EUR
500+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.18 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.36 EUR
27+2.66 EUR
31+2.33 EUR
37+1.96 EUR
50+1.73 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
754+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 754 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 108350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.18 EUR
10000+1.89 EUR
100000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.14 EUR
50+2.58 EUR
100+2.33 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInternational RectifierTO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.32 EUR
62+2.35 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808S
Produktcode: 48224
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.35 EUR
21+3.52 EUR
24+3.1 EUR
28+2.65 EUR
50+2.35 EUR
100+2.1 EUR
125+2.03 EUR
250+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.64 EUR
1600+2.37 EUR
2400+2.23 EUR
4000+2.09 EUR
5600+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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800+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.39 EUR
39+3.73 EUR
100+2.63 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.04 EUR
100+1.99 EUR
250+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.25 EUR
10+4.75 EUR
100+3.54 EUR
500+2.97 EUR
800+2.76 EUR
2400+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.39 EUR
10+4.2 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.09 EUR
71+1.93 EUR
100+1.84 EUR
250+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3808STRLPBF
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3CMS17N80International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3CMS17N80Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3CMS17N80SCXInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
711+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 711 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.97 EUR
218+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 123635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
711+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 711 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207InfineonMOSFET N-CH 40V 95A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 57A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
50+0.86 EUR
100+0.85 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 123635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.84 EUR
100+0.82 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.59 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DL237Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
100+3.75 EUR
250+3.31 EUR
500+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229International RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 4396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesIRF40DM229 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 159A 6-Pin WDSON T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+2.58 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+2.58 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: IRF40 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
auf Bestellung 2629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+2.58 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 201
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5406 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210INFINEONDescription: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 201A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H210Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
403+1.36 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
10000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF40H233ATMA1 - IRF40H233 - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40H233ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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403+1.36 EUR
500+1.21 EUR
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IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-900
Part Status: Obsolete
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
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IRF40H233XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; StrongIRFET™; unipolar; 40V; 32A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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IRF40H233XTMA1Infineon TechnologiesIRF40H233XTMA1
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IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 915 Stücke
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IRF40R207INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
106+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF40R207Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.53 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.61 EUR
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF40R207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 7923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.01 EUR
15+1.25 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRF40R207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
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101+1.45 EUR
135+1.07 EUR
200+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRF40R207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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