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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.15 EUR
50+5.33 EUR
100+4.62 EUR
200+3.56 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF3805PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.82 EUR
35+6.66 EUR
100+4.37 EUR
500+4.33 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRF3805PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
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IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.95 EUR
47+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.37 EUR
48+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.76 EUR
39+4.49 EUR
100+3 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.69 EUR
5000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
10+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
auf Bestellung 2034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+5.24 EUR
100+3.88 EUR
500+3.61 EUR
1000+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.74 EUR
34+5.09 EUR
100+3.61 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+3.63 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 220A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.59 EUR
50+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRL; IRF3805S-VB; IRF3805S TIRF3805s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SIR05+ BGA
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S-7P
Produktcode: 49413
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3805S-7PPBFInfineon TechnologiesIRF3805S-7PPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube - Arrow.com
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.96 EUR
27+6.28 EUR
100+5.26 EUR
500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 49nC
auf Bestellung 5718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF3805S-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SPBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805SPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH 3.3mOhm HEXFET 75A ID
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+6.43 EUR
100+4.58 EUR
800+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRL-7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFIR09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.94 EUR
50+6.14 EUR
100+5.9 EUR
200+4.13 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+4.41 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.1 EUR
10+7.91 EUR
100+5.84 EUR
500+5.19 EUR
800+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3805STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808/PBFIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808LIRTO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.27 EUR
60+2.86 EUR
100+2.57 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
10000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInternational RectifierTO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.26 EUR
61+2.8 EUR
100+2.48 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 108350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
10000+2.25 EUR
100000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
50+3.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
70+3.34 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808S
Produktcode: 48224
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+3.51 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.94 EUR
100+3.42 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+4.76 EUR
100+3.53 EUR
500+2.98 EUR
800+2.76 EUR
2400+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
50+3.39 EUR
100+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3808STRLPBF
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
41+5.71 EUR
100+3.7 EUR
500+3.51 EUR
1000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.18 EUR
21+4.19 EUR
24+3.69 EUR
28+3.15 EUR
50+2.8 EUR
100+2.5 EUR
125+2.42 EUR
250+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.84 EUR
50+3.75 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.3 EUR
50+3.44 EUR
100+3.07 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.79 EUR
50+3.46 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.45 EUR
2400+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3CMS17N80Infineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3CMS17N80International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3CMS17N80SCXInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
711+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 711 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207InfineonMOSFET N-CH 40V 95A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.15 EUR
218+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 123635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 21064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
711+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 711 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207INFINEONDescription: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
171+1.36 EUR
173+1.25 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 57A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
50+1.02 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+1 EUR
100+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40B207Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 123635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DL237Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229International Rectifier HiRel ProductsIRF40DM229
auf Bestellung 2629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40DM229Infineon TechnologiesDescription: IRF40 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
170+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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