Produkte > MT5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| MT53E384M32D2FW-046 IT:E | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDP Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 12Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 384M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M32D2FW-046 IT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M32D2FW-046 IT:E TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 12Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 384M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M32D2FW-046 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M32D2FW-046 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M64D4NK-046 WT:E | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M64D4NK-046 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1190 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M64D4NK-046 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E384M64D4NK-046 WT:E TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E3G32D6CY-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 96Gbit 32 200/264 TFBGA 6 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E3G32D6CY-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 96G X32 TFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4D1ABA-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4D1ABA-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4D1BHJ-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4D1BHJ-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4D1CDE-DC | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4D1CDE-DC TR | Micron | DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4DADT-DC | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? VFBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4DADT-DC TR | Micron | DRAM LPDDR4 0 ?? VFBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4DANQ-DC | Micron | DRAM LPDDR4 6G ?? FBGA QDP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C | Micron | DRAM LPDDR4 128Gbit 32 200/264 LFBGA 8 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 128Gbit 32 200/264 LFBGA 8 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E4G32D8GS-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 4G x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4G x 32 Bit | auf Bestellung 633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E4G32D8GS-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 128Gbit 32 200/264 LFBGA 8 WT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AAT:D | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D | Micron | DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Z11M | auf Bestellung 1005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR | Micron | DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M16D1Z11MWC1 | Micron Technology Inc. | Description: LPDDR4 8G DIE 512MX16 Packaging: Box Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Memory Format: DRAM Supplier Device Package: Wafer Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT ES:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT ES:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT:B | Micron Technology | MT53E512M32D1KS-046 WT:B | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1520 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1KS-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT | auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16GBIT PAR 200WFBGA Мікропроцесори, мікроконтролери | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | Micron Technology | LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DRAM Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1NP-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR | Micron Technology | IC Memory DRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Z42M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1PC-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 VFBGA 1 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron Technology | Mobile DDR4 SDRAM Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | Micron Technology | MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 1004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 UT | auf Bestellung 2057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷125°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...125°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | auf Bestellung 1207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA IT | auf Bestellung 1537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 512M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -25÷85°C; 1.1÷1.17V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -25...85°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 WT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA | auf Bestellung 1492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BAUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 UT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.95V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.95V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046BIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit | auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MT53E512M32D1ZW-046BIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT53E512M32D1ZW-046BWT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 16GbDRAM; 2.133GHz; -25÷85°C; 1.7÷1.95V Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 16Gb DRAM Operating temperature: -25...85°C Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.95V Type of integrated circuit: DRAM memory | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |