Produkte > TSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| TSM600N25ECP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 250V 8Amp N channel Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM600NA25CIT C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM600NA25CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 250V 22A SINGLE N-CHAN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220TL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3086 pF @ 125 V | auf Bestellung 3887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM600P03CS | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, -4.7A, Single P-Channel MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM600P03CS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -30V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM600P03CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 3455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM600P03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM600P03CS RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 3455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM600P03CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -30V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 3770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM600P03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM601 | ifm efector, inc. | Description: TEMPERATURE SENSOR, CLAMP-ON, -1 Packaging: Box Operating Temperature: -25°C ~ 80°C Sensor Type: Analog, Local Accuracy - Highest (Lowest): ±0.15°C Sensing Temperature - Local: -25°C ~ 160°C Sensing Temperature - Remote: -25°C ~ 160°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM601 | TOYODA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TSM6025AEUR+ | Silicon Labs | Description: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6025AEUR+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC VREF SERIES 0.2% SOT23-3 Current - Output: 500 µA Noise - 10Hz to 10kHz: 125µVrms Noise - 0.1Hz to 10Hz: 50µVp-p Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Supply: 35µA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Reference Type: Series Voltage - Input: 2.7V ~ 12.6V Mounting Type: Surface Mount Output Type: Fixed Temperature Coefficient: 20ppm/°C Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tolerance: ±0.2% Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM6025AEUR+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC VREF SERIES 0.2% SOT23-3 Current - Output: 500 µA Noise - 10Hz to 10kHz: 125µVrms Noise - 0.1Hz to 10Hz: 50µVp-p Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Supply: 35µA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Reference Type: Series Voltage - Input: 2.7V ~ 12.6V Mounting Type: Surface Mount Output Type: Fixed Temperature Coefficient: 20ppm/°C Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tolerance: ±0.2% Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM6025BEUR+ | Silicon Labs | Description: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM6025BEUR+T | Touchstone Semiconductor | Description: IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3 Current - Output: 500 µA Noise - 10Hz to 10kHz: 125µVrms Noise - 0.1Hz to 10Hz: 50µVp-p Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Supply: 35µA Reference Type: Series Voltage - Input: 2.7V ~ 12.6V Mounting Type: Surface Mount Output Type: Fixed Temperature Coefficient: 30ppm/°C Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tolerance: ±0.4% Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N03CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N06CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 62A Single N-Cha nnel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4382 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N1R4CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOhm | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N1R4CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 3.3A, 1400mOh | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N380CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N380CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 11A, 380mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N380CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N380CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N380CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 100 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N380CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V 11Amp 0,38 N channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 83W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CP | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 8A, 600mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N600CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.8A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N650CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 6A, 0.75 N Channel Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N750CH | Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N750CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N750CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N750CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N750CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N900CH | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N900CH C5G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N900CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N900CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N900CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N900CI C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 9.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N900CP | Taiwan Semiconductor | MOSFETs Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60N900CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60N900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 21.7A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 100 V | auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 78A Single N-Ch annel Power MOSFET | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CF | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220S Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CZ | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CZ | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099PW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2587 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 11.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60NB099PW C1G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60NB150CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 24A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB150CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CF C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1311 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ITO-220S Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 3524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60NB190CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CI | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | auf Bestellung 3997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB | auf Bestellung 3904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263 | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 18A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CM2 RNG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V 18A Single N-Ch annel Power MOSFET | auf Bestellung 3755 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM60NB190CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1273 pF @ 100 V | auf Bestellung 3858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60NB1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251 | auf Bestellung 21686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 4A, 1.4OHMS N Channel Power Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB1R4CH C5G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252 | auf Bestellung 2264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB260CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET 600V Power MOSFET Superjunction N-chan | auf Bestellung 2081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM60NB260CI C0G | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) ITO-220 Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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