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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TSM80N950CPTaiwan SemiconductorMOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM80N950CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
auf Bestellung 10422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM80N950CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 6A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.44 EUR
10+10.08 EUR
100+8.25 EUR
500+7.03 EUR
1000+5.93 EUR
2500+5.62 EUR
5000+5.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM80N950CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM820CSFLABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RNG 200A22K 8/16 S UG/OH FMG-OLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM820CSFLPABBCircuit Breaker Accessories MSLC MB RG 200A22K 816 S UGOH FMGOLD RTL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CXTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 10375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
auf Bestellung 14213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM850N06CX RPGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG TSM850N06CX TTSM850n06cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS (N) RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 15A, Comp. N- Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS (P) RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs -30V, 13A, Comp. P- Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS RLGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V, 13A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 15A, Complementary N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 21149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8568CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;30V, 5.7A N-Channel
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 150-154 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.21 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CS RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CS RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/2A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
19+1.17 EUR
100+1.01 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CS RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 60V 2.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 30V, 436pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W (Ta), 5.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CVTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CVTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CV RGGTaiwan SemiconductorMOSFETs -60V, -4.5A, Complementary P-Channel Power MOSFET;60V, 5.7A N-Channel
auf Bestellung 9985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8588CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -4.5A, COMPLEMENTARY P-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM85N10CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 100V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM85N10CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM881AW-USANYO 1500/REEL
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM881AW-VSANYO09+
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM897EW-CSAYNO
auf Bestellung 36486 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N50CH C5GTaiwan SemiconductorMOSFET 500V 8Amp N channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N50CH C5GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1875 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N50CPTaiwan SemiconductorMOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N50CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 500V 8 Amp N channel Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N50CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N50CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N70CITaiwan SemiconductorMOSFETs 800V 7Amp N channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N70CI C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 7A N Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N70CI C0Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM8N70CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TSM8N70CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 7Amp N channel Power Mosfet
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TSM8N80CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
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TSM8N80CI C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V 8A Single N-Cha nnel Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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TSM8N80CZ C0Taiwan SemiconductorMOSFET 800V 8A N Channel Mosfet
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TSM8N80CZ C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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TSM8N80CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 800V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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TSM8S-3.1G-160-TRE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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TSM8S-3.1G-160-TRE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
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TSM8S7EW
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TSM9-4.3-100-TRE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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TSM9-4.3-100-TRE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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TSM9-5.0-160-BE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
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 Mindestbestellmenge: 1001 Stücke
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TSM9-5.0-160-BE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TSM9-5.0-260-TRE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
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 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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TSM9-5.0-260-TRE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM9-5.0-520-TRE-SwitchTactile Switches TACT
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TSM9-7.0-160-BE-SwitchTactile Switches Tactile Switch
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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TSM9-7.0-160-BE-SwitchDescription: SWITCH TACTILE
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 Mindestbestellmenge: 1001 Stücke
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TSM9-7.3K2.8-160-TRE-SwitchDescription: TSM9-7.3K2.8-160-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
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TSM900N06CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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TSM900N06CH X0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 25W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK SL
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TSM900N06CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 20228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
11+2.05 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TSM900N06CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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TSM900N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 2292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 6519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.25 EUR
100+0.8 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.23 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 4.17W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
Case: SOT223
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.75 EUR
164+0.52 EUR
182+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
auf Bestellung 20780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
50+0.62 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CH X0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CH X0GTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 50W; IPAK SL
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: IPAK SL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CH X0GTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 15A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 8383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.58 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
7500+0.52 EUR
12500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 15342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CP ROGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 50W; DPAK,TO252
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9117ESA+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9117ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMP 1.6V PP W/REF 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9117ESA+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF S8SOIC
auf Bestellung 4953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9117EXK+Silicon LabsDescription: IC COMPARATOR 1.6V P-P SC70-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9117EXK+TTouchstone SemiconductorDescription: IC COMPARATOR W/REF SC70-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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