Produkte > BUK
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BUK7J1R4-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7J2R4-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 294W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7J2R4-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 231A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7J2R4-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7J2R4-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 231A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 294W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7J2R4-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 64 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 294W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7J2R4-80MX | Nexperia | MOSFETs BUK7J2R4-80M/SOT1023/LFPAK56E | auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K12-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K12-60EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K12-60E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 6507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K12-60EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K12-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K12-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 7930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K12-60EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 228A; 68W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Pulsed drain current: 228A Power dissipation: 68W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 82500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 38A; Idm: 213A; 64W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 38A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 64W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K13-60E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K13-60EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 8-Pin LFPAK-D Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K13-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K134-100E115 | Nexperia USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.9A; Idm: 39A; 32W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 32W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 335mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K134-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K134-100EX | NXP Semiconductors | BUK7K134-100EX | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K134-100EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K134-100E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 2629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K134-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K134-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K134-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205 tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K15-80EX | Nexperia | MOSFETs Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET | auf Bestellung 29842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K15-80EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUK7K15-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 23A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin LFPAK-D BUK7K15-80EX BUK7K15-80EX TBUK7k15-80ex Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BUK7K15-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K15-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 23 A, 23 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112 Anzahl der Pins: 8 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-1205 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung, n-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds: 80 Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 Verlustleistung, p-Kanal: 68 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112 Dauer-Drainstrom Id: 23 rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 68 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 16A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 68W Case: LFPAK56D; SOT1205 On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K15-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K17-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung Pd: 53 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D | auf Bestellung 94503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K17-60EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 30A; Idm: 164A; 53W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 53W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D | auf Bestellung 94500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K17-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K17-60E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 1513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K17-60EX | NXP | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin LFPAK-D Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK-D T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 21 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung Pd: 64 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 15A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 64W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K17-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K18-40E | Nexperia | MOSFET 40V Mosfet Dual N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 22A; Idm: 127A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K18-40EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K18-40E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 1968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 2684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 24.2A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K18-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K23-80EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 12A; Idm: 68A; 53W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 53W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K23-80E/SOT1205/LFPAK56D | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K23-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K23-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K23-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K23-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 17 A, 17 A, 0.0176 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0176ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0176ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K23-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1542pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 274500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K25-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 276000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7K25-40E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K25-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7K25-40E,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.02125 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 32W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K25-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K29-100E/1X | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 100V 29.5A LFPAK56D | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K29-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K29-100EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K29-100E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 8479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K29-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K29-100EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 22A; Idm: 126A; 68W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 68W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K29-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | auf Bestellung 18456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K29-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29.5A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K32-100EX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 20.4A; Idm: 116A; 64W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20.4A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 64W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 76mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K32-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K32-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K32-100EX | Nexperia | MOSFETs BUK7K32-100E/SOT1205/LFPAK56D | auf Bestellung 8681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K32-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 64W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K32-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 29A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7K35-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 794pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7K35-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7K35-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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