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Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.09 EUR
6000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3099LQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3099LQ-7

Description: DIODES INC. - DMP3099LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.76 EUR
541+	0.43 EUR
855+	0.25 EUR
1158+	0.19 EUR
1334+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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DMP3099LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.089 EUR
6000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3099LQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	0.57 EUR
60+	0.35 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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DMP3099LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3100L

MOSFETs

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DMP3100L

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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DMP3100L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3105LVT-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K

auf Bestellung 4847 Stücke:

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4+	0.84 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMP3105LVT-7

Diodes

MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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DMP3105LVT-7

Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.15W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	0.94 EUR
378+	0.62 EUR
575+	0.37 EUR
770+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 268 Stücke

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DMP3105LVT-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V

auf Bestellung 12629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
42+	0.5 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3105LVT-7

Description: DIODES INC. - DMP3105LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.1 A, 0.065 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.15W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

268+	0.94 EUR
378+	0.62 EUR
575+	0.37 EUR
770+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 268 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3105LVT-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 839 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
6000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3120L

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3120L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-13

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.99 EUR
29+	0.73 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.21 EUR
2000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-13

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 14600 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.74 EUR
10+	0.55 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.17 EUR
2500+	0.15 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.65W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.145Ω
Power dissipation: 0.65W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.094 EUR
6000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

auf Bestellung 192285 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.18 EUR
24+	0.14 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Diodes

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2646 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.39 EUR
776+	0.3 EUR
981+	0.21 EUR
1104+	0.19 EUR
1500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 629 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V

auf Bestellung 292194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.69 EUR
49+	0.43 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2646 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

629+	0.39 EUR
776+	0.3 EUR
981+	0.21 EUR
1104+	0.19 EUR
1500+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 629 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.094 EUR
6000+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3125L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 254 pF @ 25 V

auf Bestellung 291000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.12 EUR
15000+	0.12 EUR
21000+	0.11 EUR
30000+	0.11 EUR
75000+	0.098 EUR
150000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3130L

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3130L

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3130L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3130L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
15000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3130L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 4020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

303+	0.58 EUR
360+	0.48 EUR
383+	0.43 EUR
582+	0.27 EUR
593+	0.25 EUR
634+	0.23 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 303 Stücke

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DMP3130L-7

MOSFETs 30V 3.5A P-CHANNEL

auf Bestellung 18471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.09 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMP3130L-7

Diodes

P-Channel 30V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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DMP3130L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 38689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.11 EUR
31+	0.69 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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DMP3130LQ-7

Description: DIODES INC. - DMP3130LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.059 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	1.19 EUR
291+	0.8 EUR
453+	0.48 EUR
603+	0.36 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3130LQ-7

MOSFETs P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101

auf Bestellung 34401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.9 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

646+	0.29 EUR
1108+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 646 Stücke

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DMP3130LQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.24 EUR
6000+	0.23 EUR
9000+	0.21 EUR
15000+	0.2 EUR
30000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3130LQ-7

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	1.19 EUR
291+	0.8 EUR
453+	0.48 EUR
603+	0.36 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

674+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 674 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

697+	0.27 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR
9000+	0.14 EUR
24000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 697 Stücke

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DMP3130LQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3130LQ-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 31286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	1.11 EUR
31+	0.69 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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DMP3160L

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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DMP3160L

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3160L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V

auf Bestellung 5105 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

21+	1 EUR
33+	0.65 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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DMP3160L-7

MOSFETs P-Channel 1.08W

auf Bestellung 2019 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.09 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.25 EUR
6000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3160L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3160LQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3160LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384.4 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3164LVT-13

Description: MOSFET 2P-CH 2.8A TSOT26
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.21 EUR
20000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3164LVT-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3164LVT-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R 3K

auf Bestellung 16622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3164LVT-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.99 EUR
27+	0.81 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3164LVT-7

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-13

Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-13

Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-7

Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

auf Bestellung 2971 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.77 EUR
37+	0.57 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K

auf Bestellung 9918 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.7 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165L-7

Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165LQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165LQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP3165LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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21+	1 EUR
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DMP3165LQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

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DMP3165LQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K

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DMP3165SVT-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 10K

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DMP3165SVT-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 287 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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DMP3165SVT-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 287 pF @ 15 V

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DMP3165SVT-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K

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DMP31D0U-7

Trans MOSFET P-CH 30V 0.67A 3-Pin SOT-23 T/R

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DMP31D0U-7

MOSFETs 30V P-Ch ENH Mode FET -30Vdss 8V 2.5A

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DMP31D0U-7

Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 152428 Stücke:

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DMP31D0U-7

Trans MOSFET P-CH 30V 0.67A 3-Pin SOT-23 T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMP31D0U-7

Description: MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

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DMP31D0UFB4-7B

Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

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DMP31D0UFB4-7B

Description: MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 15 V

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DMP31D0UFB4-7B

Trans MOSFET P-CH 30V 0.76A 3-Pin DFN T/R

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DMP31D0UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K

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DMP31D1U-13

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP31D1U-13

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K

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Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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DMP31D1U-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 12357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

59+	0.36 EUR
81+	0.26 EUR
150+	0.14 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP31D1U-7

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.063 EUR
6000+	0.06 EUR
9000+	0.051 EUR

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DMP31D1UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

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2500+	0.1 EUR
5000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP31D1UFB4Q-7B

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

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Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP31D1UVT-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP31D1UVT-13

Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.76A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26

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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMP31D7L

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V X1-DFN1006-3 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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DMP31D7L-13

Trans MOSFET P-CH 30V 0.58A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 160000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP31D7L-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP31D7L-13